Samsung представила микросхемы 3D V-NAND четвёртого поколения

Месяц и один день назад Samsung выпустила 4 ТБ-версию SSD-накопителя 850 Evo. Так много памяти удалось «упаковать» в 2,5-дюймовый корпус благодаря новым микросхемам 3D V-NAND памяти, которые третьего поколения и состоят из 48 слоев. Сегодня же Samsung представила новое, четвёртое поколение 3D V-NAND микросхем.

Samsung 3D V NAND 4gen 01

Прежде всего, благодаря росту количества слоев увеличилась ёмкость каждой отдельной микросхемы. Теперь она может вмещать до 512 Гбит, что 64 ГБ. Кроме того, подросла и скорость. По заявлениям, скорость последовательного чтения одного отдельно взятого чипа достигает 100 МБ/. Повторюсь, отдельно взятого чипа, а не всего конечного устройства.

Уплотнение позволит Samsung выпустить 8 ТБ M.2 накопители, SSD в 2,5-дюймовом корпусе и ёмкостью в 32 ТБ. Компания считает, что достижения объёма в 100 ТБ вполне возможно к 2020 году.

Также Samsung объявила о серии SSD-Z. Пока много технических деталей не раскрывается. Известно лишь, что там будет использоваться особый котроллер и специально «заточенные» чипы памяти на достижения наибольших скоростей. Приблизительно, новый накопитель будет работать со скоростью 2,5 ГБ/с. Короче говоря, компания готовит очередной самый быстрый SSD.

Samsung 3D V NAND 4gen 02

Samsung 3D V NAND 4gen 02

Samsung 3D V NAND 4gen 03

Samsung 3D V NAND 4gen 03

Источник:
Guru3D

 
Яндекс.Метрика