Обзор комплекта оперативной памяти G.Skill F3-1866C10D-16GAB серии Ares объемом 16 ГБ

Компания G.Skill, представив линейку памяти Ares, заняла весьма важную для себя нишу в сегменте рынка оперативной памяти. Высокочастотные модули работающие при напряжении питания 1.5-1.65 В оснащены низкими радиаторами, что лишает их проблем совместимости с практически любым процессорным кулером. Комплект оперативной памяти G.Skill F3-2133C9D-8GAB объемом 8 ГБ уже успел пройти тестирование в нашей лаборатории. Однако данный комплект не является обладателем наибольшего объема среди двухканальных комплектов. Это место отведено для комплекта F3-1866C10D-16GAB, объемом 16 ГБ.

Комплект оперативной памяти F3-1866C10D-16GAB, как и его младший собрат, поставляется в прозрачном пластиковом блистере, внутри которого прекрасно просматриваются модули памяти. Данный комплект является двухканальным, и потому состоит из двух модулей, каждый объемом 8 ГБ. Суммарный объем обоих модулей равен 16 ГБ.

На обратной стороне блистера просматривается наклейка, позволяющая идентифицировать именно данный комплект. В данном случае маркировка F3-1866C10D-16GAB гласит - F3 – DDR3 память, 1866 – частота, C10 – значение тайминга CL, D – двухканальный комплект, 16G – общий объем модулей, A – линейка Ares, B – цвет радиатора, в данной случае Blue (голубой).

Модули основаны на текстолите темно-коричневого цвета. Непосредственно на сами чипы памяти наклеены алюминиевые радиаторы, окрашенные в голубой цвет.

Каждый из модулей имеет уникальный серийный номер, который нанесен на специальный стикер. Данный стикер также обладает информаций о частоте, количестве модулей в комплекте, таймингах и напряжении питания.

С помощью бытового фена радиаторы были с легкостью демонтированы, благодаря чему можно более детально изучить модули памяти.

Модули являются двусторонними – на каждой из сторон размещено по 8 микросхем памяти.

В данном случае были использованы микросхемы производства компании Micron с маркировкой D9NZZ. К сожалению, мне ничего не удалось найти про статистику разгона памяти на конкретных чипах. Единственная найденная фотография на азиатском форуме и комментарий к ней сообщали что чипы D9NZZ встречаются на бюджетных модулях памяти объёмом 8 ГБ с частотой 1333 МГц и системными задержками CL9-9-9. Скажу прямо, не густо…

Чипы памяти распаяны на восьмислойной печатной плате B83U854 1.00 производства Brain Power. Такая же плата была использована на модулях G.Skill F3-2133C9D-8GAB, а также довольно часто встречается на высокочастотных оверклокерских комплектах.

В одном из углов платы находится гарантийная наклейка «G.SKILL Warranty» снимать которую не следует, к тому же под ней ничего не скрывается .

За хранение SPD отвечает микросхема C1TG701N.

Высота модулей памяти составляет всего 32 мм, а после установки в слот на материнской плате модуль максимально возвышается над ней на высоту 35 мм. Благодаря этому отсутствует проблема совместимости модулей памяти и габаритных процессорных кулеров. Как видно из фото, несмотря на то, что кулер Enermax ETS-T40-TA перекрывает первый слот, не возникает никаких с установкой модулей памяти G.Skill F3-1866C10D-16GAB. Не возникнет их и в случае установки сразу четырех модулей.

В SPD модулей записана следующая информация.

Для выставления повышенных рабочих частот предусмотрено два профиля XMP. Первый профиль с названием Enthusiast позволяет выставить частоту в 1800 МГц, а второй профиль Extreme предназначен для частоты 1866 МГц.

При загрузке профиля XMP#2 меня ждал небольшой сюрприз – система просто отказывалась грузится не пройдя POST. Все дело в том, что в профиле для данных настроек прописано значение тайминга tRFC 243, а материнская плата ASUS Maximus 3 Formula имеет предел по изменению данного тайминга до 200. Повысив напряжение питания с 1.5 до 1.62 В удалось не только успешно загрузить операционную систему, но и успешно пройти тестирование работоспособности с помощью теста memtest 86+в течении 15 минут. Стоит отметить, что моя материнская плата отсутствует на сайте в списке протестированных плат компанией G.Skill.

После борьбы с XMP профилями я перешел к процессу проверки на разгон по частоте памяти. Для чего был использован следующий стенд:

 

Процессор

Intel Сore i7 880 ES (3.07 ГГц, Lynnfield, rev. B1)

Материнская плата

Asus Maximus III Formula (Intel P55, Intel LGA 1156, BIOS 2104)

Видеокарта

ZOTAC GT240 512 MB

Оперативная память

G.Skill F3-1866C10D-16GAB, DDR3, 2 х 8192 МБ

Блок питания

Enermax EMG500AWT (Modu87+, 500 Вт)

Твердотельный накопитель

Intel X25-V

Система охлаждения

Enermax ETS-T40-TA

Термопаста

Arctic Cooling MX-2

Корпус

Cooler Master HAF 912 Plus

Проверка на разгон оперативной памяти по частоте осуществлялась с помощью теста №5 memtest86+ в течение 15 минут. Для этого системные задержки были приведены к виду 8-10-8-30 1T, 9-11-9-30 1T, 10-11-10-30 1T и 10-12-10-30 1T. Напряжение питания контролировались с помощью цифрового мультиметра Uni Trend UT60E и изменялись в диапазоне 1.5-1.8 В с шагом 0.05 В. Проверка осуществлялась при значениях тайминга tRFC равных 150 и 200.

Изначально я решил начать разгон памяти установив тайминги соответствующие профилю XMP#2, а tRFC зафиксировал на значении 150 и CR=1T, как это делал обычно для 4 ГБ модулей. Однако для разгона модулей объемом 8 ГБ этого оказалась недостаточным, а прирост по частоте составил всего 37 МГц, и это при повышении напряжения с 1.5 до 1.8 В.

Затем я повысил значение tRFC до максимального значения позволяемого установить материнской платой, равного 200. Память тут же более резво отозвалась на разгон и в целом разница между режимами tRFC=150 и tRFC=200 составила 60-145 МГц в зависимости от напряжения в пользу второго режима. При этом удалось покорить отметку 2000 МГц, правда для этого потребовалось напряжение питания поднять до 1.7 В. Скорее всего, будь у материнской платы возможность повысить значение tRFC до 250, то это произошло бы при меньшем напряжении, а пока это остается только на уровне догадки.

Затем я провел изучение разгонного потенциала в зависимости от используемого набора таймингов 8-10-8-30 1T, 9-11-9-30 1T и 10-12-10-30 1T при tRFC=200.

Как видно из полученных данных, использование таймингов 9-11-9-30 1T оказалось чуть хуже по итоговой частоте нежели при 10-11-10-30 1T. Набор таймингов 8-10-8-30 1T не подходит для разгона памяти, а итоговая частота при напряжении 1.8 В оказалась ниже частоты заложенной производителем в профиль XMP#2.

Единственным подходящим набором таймингов из проверенных мной является 10-12-10-30 1T. При этом при напряжениях 1.50-1.55 В модули ведут себя как и при 10-11-10-30 1T. Однако с ростом напряжения прирост частоты происходит более активно, и в итоге удалось добиться стабильной частоты 2188 МГц при напряжении 1.8 В, что на 106 МГц выше чем при наборе таймингов 10-11-10-30 1T.

В ходе проведенного мной тестирования оперативная память G.Skill F3-1866C10D-16GAB проявила себя с наилучших сторон. Память обладает должной стабильностью и необходимым запасом по частоте. Рост частоты от напряжения хоть и имеет место быть, но наблюдается он при tRCD=tCL+2 и составляет порядка 200 МГц при увеличении напряжения с 1.5 до 1.8 В.

Конечно, если сравнивать частоты и тайминги 8 ГБ модулей с 4 ГБ, то первые проигрывают довольно сильно. Однако главное преимущество модулей памяти большего объема, это возможность распараллеливания процессов. Если при установленной у меня оперативной памяти объёмом 4 ГБ мне с трудом удавалось обрабатывать фотографии к статье с помощью Lightroom, то при увеличении её объема до 8 ГБ я уже не испытывал с этим проблем. А при увеличении объема памяти до 16 ГБ я спокойно смогу одновременно позволить себе экспорт фото из Lightroom в несколько потоков, обработку видео и серфинг в интернете.

По результатам тестирования комплект оперативной памяти G.Skill F3-1866C10D-16GAB получает награду «Лучшее для дома».

Автор благодарит компанию G.Skill за предоставленный на тестирование комплект оперативной памяти.

 
Яндекс.Метрика