2017 год в мире различных чипов памяти считается годом Intel 3D Xpoint, а в свою очередь 2018 год примечателен релизом накопителей с QLC-памятью, где на 1 ячейку приходится 4 бита. Не так давно в Сети засветился накопитель Intel SSD 600P, базирующийся на QLC, и тогда же предполагалось, что ближе к конференции Flash Memory Summit подобных релизов произойдёт немало. Flash Memory Summit только-только приоткрывает свои двери сегодня, а Samsung уже объявила, что приступила к массовому производству своих накопителей на QLC.
Хотя Samsung и разослала пресс-релизы, и даже немного поделилась скоростными характеристиками, имени у данных SSD пока нет. Также не называется ценник, а ответ на пресловутый вопрос “когда?” расплывчат – ближе к концу года.
Накопители базируются на 64-слойной QLC 3D V-NAND памяти ёмкостью 1 Тбит (128 ГБ), а контроллером служит Samsung MJX. Моделей в линейке будет три: на 1, 2 и 4 ТБ, все они используют интерфейс передачи данных SATA III Гбит/с. Скорости последовательных чтения/записи находятся на уровне 540 и 520 МБ/с соответственно.
Также сейчас Samsung работает над M.2 NVMe-накопителями на базе QLC-памяти, но кроме самого факта работы более подробностей нет.