Ещё в августе компания SK Hynix впервые рассказывала про так называемую “4D NAND” память. Суть её в том, что дополнительные функциональные блоки располагаются не сбоку от стека ячеек, а непосредственно под ними. Это сулит определённые выгоды как в плане увеличения ёмкости микросхемы, так и в скорости работы. Сегодня SK Hynix решила напомнить про “4D NAND” память, заодно приведя кое-какие цифры.
По заявлениям компании, новые чипы в первую очередь интересны увеличением количества слоёв до 96, что выливается в рост объёма. Также такие чипы имеют на 30% меньшую площадь, и на 25% и 30% большие скорости чтения и записи. Скорости последовательных чтения и записи у имеющихся образцов достигают 1,2 ГБ/с. Ёмкость – 512 Гбит, или 64 ГБ.
Тестовые микросхема типа TLC, где три бита на ячейку. В будущем ожидается появление и QLC-микросхем.
Сроки внедрения называются прежние. Массовое производство“4D NAND” чипов типа TLC стартует до конца года. Примерно в это же время в продаже появится первый SSD-накопитель на основе новой памяти. 96-слойные чипы ёмкостью 1 Тбит типа TLC (3 бита/ячейка), как и QLC-чипы (4 бита), появятся уже в следующем году.