Как сообщает ресурс EETimes, Intel полностью завершила работу над памятью типа MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory), и даже готова к производству в больших объёмах. MRAM – технология энергонезависимой памяти. При потере питания информация в ячейках сохраняется, чем обычная DRAM (оперативная память) похвастать не может. Но это далеко не все преимущества.
MRAM разрабатывалась в качестве долгосрочного кандидата на замену DRAM- и NAND-памяти одновременно, и призвана решить сразу все их проблемы. MRAM обещает намного лучшее масштабирование, повышенные скорости записи и чтения (в тысячи раз быстрее в сравнении с текущими технологиями), и крайне низкие задержки – порядка 1 нс, что для текущей памяти даже теоретически недостижимо.
Лигионг Вей (Ligiong Wei), инженер Intel, во вторник выступил с докладом на конференции ISSCC 2019. По его словам, ячейки памяти будут сохранять информацию в течении 10-и лет при температуре 200 °C, а ресурс перезаписи составляет более миллиона циклов.
Кроме того, MRAM может похвастаться чрезвычайно высоким показателем «урожайности». Уже сейчас выход годных микросхем более 99,9%. На самом рассвете технологии это является удивительным достижением. Как правило, на заре технологии каждая вторая-третья микросхема выходит битая.
Касательно техпроцесса изготовления MRAM-памяти достоверной информации нет. Одни источники говорят, что это 22 нм. Другие – это «расслабленный» 14 нм техпроцесс. Вероятно, часть узлов сделана по 22 нм нормам, а часть по 14 нм.