Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix решил обскакать своих соотечественников из Samsung, планирующих начать производство памяти в DDR5 в следующем году, объявив о запуске масштабного производства на своих мощностях уже в этом. Попутно SK Hynix раскрыла ряд любопытных подробностей о оперативной памяти DDR5.
Микросхемы типа DDR5 будут функционировать с производительностью 3200-8400 МТ/с (мегатранзакций в секунду). Для сравнения, у DDR4 этот показатель равен 1600-3200 МТ/с. Параллельно этому в четыре раза вырастет ёмкость – от 8 до 64 Гбит на чип, но для начала SK Hynix будет производить микросхемы ёмкостью 16 и 24 Гбит по 10-нм техпроцессу. Первая цель по частотам – режим работы DDR5-4800.
Кроме того, напряжение питания снизится до 1,1 В, что наряду с некоторыми дополнительными доработками позволит снизить энергопотребление на 20% по сравнению с памятью DDR4.
Одно из самых ключевых изменений, исключая ёмкость и скорость – это добавление кода коррекции ошибок (ECC). До сих пор эта функция являлась прерогативой специальной «оперативки», применяемой преимущественно в серверах, а с DDR5 будет встроена повсеместно.
Несмотря на начало масштабного производства в этом году, по-настоящему массовой память типа DDR5 станет не скоро. Для понимания, в десктопный сегмент DDR4 пришла в 2015 году, а повсеместной стала лишь через 2 года