В настоящее время самые передовые из массово доступных чипов памяти насчитывают 64 слоя, а к концу года ожидаем появление 96-слойных «микрух». Это, честно говоря, уже является огромным достижением. Но к 2021 году появятся чипы, где вертикально уложены более 140-ка слоёв ячеек.
По имеющимся сейчас сведениями, Toshiba и Western Digital уже много лет как работают над 96-слойными чипами BiCS 3D NAND, которые, как ожидается, появятся в течении 12-ти месяцев. В этом же году Sasmung выпустит свои 3D NAND чипы пятого поколения, где также 96 слоёв. Возвращаясь к дорожной карте видим, что в 2020 году ожидаем 120 слоёв, а к 2021 их число увеличится примерно до 140-ка. И слоёв не просто станет больше, они станут тоньше. Если сейчас толщина слоя составляет ~60 нм, то в будущем она сократится до 45 нм.
Эта новость основана на новой так называемой дорожной карте, опубликованной Applied Materials (крупный поставщик оборудования для производства полупроводниковых чипов), которая была показана во время International Memory Workshop – международного семинара по памяти. Короче говоря, информация с высокой степенью достоверности.
Рублика “бесполезный факт”: поскольку в общем здесь идёт дело с битами и байтами, число слоёв может расти только с математическим шагом в 8, то есть 64, 96, 128, 144 слоя и т.д.