Посредством пресс-релиза чипмейкер SK Hynix рапортует о начале массового производства микросхем памяти типа HBM2e. Это второе поколение второго поколения многослойной HBM-памяти. Интересно отметить, что о начале разработки было объявлено всего 10 месяцев назад в августе прошлого года.
Память SK Hynix HBM2e характеризуется рекордной пропускной способностью на контакт – 3,6 Гбит/с. Один стек такой памяти имеет общую пропускную способность 460 ГБ/с. Для понимания, абстрактная видеокарта с 8 ГБ GDDR6 с частотой 14 ГГц и 256-битной шиной имеет 448 ГБ/с пропускной способности, только они набраны восемью чипами. Один стек обычной HBM2 имеет общую ПСП около 242 ГБ/с.
Физически один стек HBM2e включает 8х 16-гигабитных кристаллов, объединённых вертикальными межкремниевыми соединениями TSV (Through-Silicon-Via). Итого ёмкость одного чипа достигает впечатляющих 16 ГБ, что вдвое больше самых ёмких чипов HBM2.
На данный момент ещё ни одна видеокарта или ускоритель не используют чипы HBM2e. В Сети мелькал слайд с адаптером Radeon RX 5950 XT, но позже сама SK Hynix сказала расходимся, это фейк.