Этим летом ассоциация JEDEC утвердила стандарт оперативной памяти LPDDR5X. О намерениях массово выпускать энергоэффективную память нового типа заявили Micron и Samsung. К именно массовому производству пока не приступила ни одна из компаний, но Micron рапортует об успешном окончании тестирования LPDDR5X и готовности к началу производство.
Для выпуска памяти LPDDR5X Micron задействовала передовой техпроцесс 1α (1-alpha). Конкретно в привычных нанометрах не уточняется, но предыдущий узел 1z соответствует ~13 нм. Про 1α было сказано, что он плотнее 1z на 40%, что как бы ~8 нм, но тогда бы Micron хвасталась первыми в мире чипами памяти, построенными с применением техпроцесса 10-нм класса. В общем, толком непонятно, но Micron заявляет о наивысшей плотности размещения ячеек памяти.
Что касается пропускной способности, сперва Micron выпустит микросхемы со скоростью 7,5 Гбит/с на контакт, которые на 36% быстрее микросхем LPDDR5. Чуть позже появятся ещё более быстрые версии со скоростью 8,533 Гбит/с.
LPDDR5X найдёт применение преимущественно в различной мобильной электронике – топовых смартфонах, планшетах и сверхкомпактных ноутбуках. Тестирование проходило в составе представленного накануне 4-нм SoC MediaTek Dimensity 9000. Можно смело предполагать, что в первую очередь LPDDR5X можно будет встретить в смартфонах на основе MediaTek.