Компания SK Hynix рапортует о начале серийного производства 238-«этажных» микросхем NAND-памяти типа TLC (3 бита на ячейку). Для их производства задействуется фирменная технология 4D NAND, предполагающая перенос логики в основание микросхемы.
Новые чипы увеличивают скорость передачи данных до 2,4 Гбит/с, что вполовину больше, чем у актуальных 176-слойныx решений SK Hynix. Кроме того, энергопотребление сократилось на 21% во время операций чтения и записи, а также с одной кремниевой пластины производитель сможет получать на 34% больше микросхем. Впрочем, вряд ли это скажется на их стоимости.
В первую очередь 238-слойные микросхемы найдут применение в носимой электроники, в частности в смартфонах. В будущем они будут использоваться в накопителях с интерфейсом PCI-E 5.0, преимущественно в накопителях большой ёмкости.
Примечательно, что в пресс-релизе несколько раз упоминается «предстоящее восстановление рынка». Сейчас из-за малого спроса цены на NAND-память и готовую продукцию на её основе снижаются. Похоже, компания готовится к кардинальному изменению ситуации.