Пропуская всю пресс-релизную лирику с места в карьер сразу к делу. Южнокорейская компания SK Hynix приступила к массовому производству микросхем оперативной памяти типа LPDDR5X. Они характеризуются ёмкостью 24 ГБ и скоростью передачи данных на уровне 68 ГБ/с.
Чипы LPDDR5X примечательны не только огромной ёмкостью и немаленький скоростью, но и энергоэффективностью. Для работы достаточно так называемого «сверхнизкого диапазона напряжения» – от 1,01 до 1,12 В.
Новая память рассчитана на применение в топовых смартфонах и планшетах, потенциально может использоваться в составе портативных игровых консолей. Первой LPDDR5X внедрила компания OPPO в смартфоне OnePlus Ace 2 Pro, который был представлен вчера.
Также SK Hynix скользь рассказала про LPDDR5T – турбо-версию, своего рода промежуточный вариант между нынешней LPDDR5(X) и будущей LPDDR6. Она на 13% быстрее самых скоростных микросхем LPDDR5X, то есть выходит за рамки, допустимые стандартом JEDEC. Сейчас JEDEC занимается доработкой стандарта, процесс уже на завершающей стадии, массовое производство LPDDR5T стартует скоро.