Южнокорейский гигант Samsung Electronics столкнулся с непредвиденными трудностями при разработке памяти QLC V-NAND 9-го поколения. По данным источников TrendForce и ZDNet, запуск новой технологии отложен как минимум до первого полугодия 2026 года из-за фундаментальных проблем с производительностью и надёжностью.
Детали ситуации:
-
Причина задержки: «Фундаментальные конструктивные проблемы» в первых партиях памяти, приводящие к несоответствию заявленным параметрам производительности и endurance.
-
Технологическое отставание: Samsung использует 280-слойный дизайн для V9, в то время как конкуренты уже демонстрируют:
-
SK hynix: 321-слойная QLC NAND
-
KIOXIA: 332-слойная QLC NAND
-
-
Рыночные последствия: Задержка позволит SK hynix и KIOXIA укрепить позиции на рынке QLC-накопителей для дата-центров и потребительских SSD.
Контекст:
QLC (Quad-Level Cell) NAND — ключевая технология для снижения стоимости хранения данных в дата-центрах и бюджетных SSD. Поколение V9 должно было стать ответом Samsung на растущий спрос со стороны cloud-провайдеров.
Что это значит для потребителей?
-
Задержка выпуска SSD: Массовые потребительские SSD на базе V9 (например, серии Samsung 990 QVO) не появятся до 2026 года.
-
Рост цен: Дефицит современных QLC-решений может поддержать высокие цены на SSD в среднем сегменте.
-
Усиление конкуренции: SK hynix (через бренд Solidigm) и KIOXIA получат дополнительное время для захвата доли рынка.
Samsung пока не прокомментировала задержку. Ожидается, что компания представит пересмотренный roadmap по памяти NAND в начале 2025 года. Это уже вторая крупная задержка у Samsung после проблем с HBM3E, что может сказаться на её репутации технологического лидера.
Подписывайтесь на наш телеграмм канал и читайте новости в удобном формате — https://t.me/occlub_ru.