На конференции OCP Global Summit 2025 компания Samsung раскрыла детали о следующем поколении памяти HBM4e. Новый стандарт предложит значительное улучшение как производительности, так и энергоэффективности по сравнению с текущими решениями HBM3e.
Ключевые характеристики HBM4e:
-
Скорость передачи: ≥13 Гбит/с на контакт
-
Пропускная способность: 3.25 ТБ/с на стек (при 12-канальной архитектуре)
-
Энергопотребление: 1.95 пДж/бит (вдвое меньше, чем у HBM3e)
-
Ожидаемый релиз: 2027-2028 годы
Сравнение поколений HBM:
| Параметр | HBM3e | HBM4 | HBM4e |
|---|---|---|---|
| Скорость | 9.8 Гбит/с | 11 Гбит/с | 13+ Гбит/с |
| Пропускная способность | ~2.0 ТБ/с | ~2.8 ТБ/с | ~3.25 ТБ/с |
| Энергоэффективность | ~4.0 пДж/бит | ~2.5 пДж/бит | ~1.95 пДж/бит |
Финансовый контекст:
-
Операционная прибыль Samsung (Q3 2025): 12.1 трлн вон (при прогнозе 10 трлн)
-
Доля полупроводникового подразделения: ~5 трлн вон
-
Рост: В 10+ раз к предыдущему кварталу, благодаря спросу на HBM3e
Значение для индустрии:
-
Поддержка ИИ-ускорителей: HBM4e станет основой для GPU поколения после NVIDIA Rubin и AMD CDNA 5
-
Конкурентное преимущество: Samsung догоняет SK Hynix в технологической гонке HBM
-
Энергоэффективность: Критически важна для дата-центров с тысячами GPU
Рыночные перспективы:
Ожидается, что Samsung займет 30-40% рынка HBM4e, конкурируя с:
-
SK Hynix (планирует 14 Гбит/с для HBM4e)
-
Micron (активно развивает 12-слойные стеки)
Вывод: Анонс HBM4e подтверждает ускорение innovation-цикла в памяти для ИИ. К 2027 году мы увидим ускорители с пропускной способностью памяти свыше 10 ТБ/с на устройство, что откроет новые возможности для тренировки LLM-моделей следующего поколения.