Твердотельные накопители ZOTAC SONIX с интерфейсом PCIe открывают новые возможности для самых требовательных пользователей
Компания ZOTAC International, представила свой новый флагманский высокопроизводительный твердотельный накопитель SONIX PCIe — передовое решение для ресурсоемких игр и работы с данными.
Накопитель SONIX стал первым пользовательским твердотельным PCI Express-накопителем компании ZOTAC с интерфейсом NVMe 1.2, который отличается заметно более высокой производительностью по сравнению с SATA-устройствами. SONIX оснащен высокоскоростным кэшем на базе памяти типа DDR3 объемом 512 МБ и по скорости чтения и записи в четыре раза опережает 2,5-дюймовые твердотельные накопители SATA.
Твердотельные накопители SONIX можно использовать для решения самого широкого круга вычислительных задач.Благодаря высокой скорости и надежности SONIX может использоваться для работы с большими базами данных, ресурсоемкими приложениями, многозадачными средами, мультимедийными приложениями и играми.
SONIX оснащены интерфейсом NVMe 1.2 PCIe Gen3 с четырьмя линиями, который при последовательном считывании/записи способен обеспечить пропускную способность вплоть до 2600 МБ/с и 1300 МБ/с, соответственно. Твердотельный накопитель оснащен контроллером Phison E7 и построен на основе флэш-памяти MLC производства Toshiba . Среднее время наработки на отказ накопителя SONIX достигает 2 000 000 часов. При этом, в него встроена функция защиты данных на всем пути их передачи (ETEP, End-to-endDataPathProtection) и динамическая функция минимизации износа ячеек памяти.
SONIX поставляется в комплекте со стандартными и низкопрофильными скобами, которые подходят для установки накопителя в различные системы, в том числе, низкопрофильные. Устройство отличается лаконичным дизайном своего прочного металлического корпуса.
Технические характеристики
Название продукта Твердотельный накопитель ZOTAC SONIX с интерфейсом PCIe
Форм-фактор Расширительная плата
Интерфейс NVMe 1.2 PCI Express 3.0 (x4, четыре линии)
Контроллер Phison E7
Емкость 480 ГБ
Кэш 512 МБ DDR3
Последовательное чтение До 2600 МБ/с
Последовательная запись До 1 300 МБ/с
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 2 000 000 часов