Чипмейкеры Kioxia (ранее Toshiba Memory) и Western Digital готовятся к старту производства нового поколения флеш-памяти 3D NAND, насчитывающее 112 слоёв. Сообщается, что крупномасштабный выпуск начнётся через пару месяцев, а первые продукты на основе новых микросхем появятся во второй половине этого года.
Микросхемы базируются на технологии BiCS5, имеют ёмкость 512 ГБ на один чип типа TLC (три бита/ячейка). Эти же «микрухи» могут быть сконфигурированы под тип QLC (четыре бита), благодаря чему ёмкость возрастает до 1,33 ТБ. Чипы BiCS5 QLC начнут выпускаться чуть позже, чем TLC.
По сравнению с нынешними 96-слойными BiCS4, новое поколение позволит с одной кремниевой пластины получить на 40% больше суммарных гигабайт, что положительно скажется на себестоимости. Вместе с тем обещается 50% рост пропускной способности чипов и небольшое снижение задержек.
Kioxia и Western Digital призадержались с выводом 100+ слойных микросхем 3D NAND на рынок. Так Samsung уже производит 136-слойные чипы, решения Micron насчитывают 128 «этажей», а у Intel в этом году будут 144-слойные микросхемы.
Источник:
Guru3D