Генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) в ходе отчёта за 2025 год раскрыл детали о следующем поколении памяти HBM4. Компания начала поставки 12-слойных стеков с эксклюзивной скоростью 11 Гбит/с на контакт, что превышает стандарт JEDEC (8 Гбит/с).
Ключевые характеристики HBM4 от Micron:
-
Слои: 12 (вместо 8-12 у конкурентов)
-
Скорость: 11 Гбит/с на контакт (на 37.5% выше стандарта JEDEC)
-
Пропускная способность: 2.8 ТБ/с на стек (против ~2.0 ТБ/с у HBM3E)
-
Потребитель: NVIDIA (для ускорителей архитектуры Rubin в 2026 году)
Другие анонсы:
-
GDDR7:
-
Разрабатывается версия со скоростью >40 Гбит/с (против 32 Гбит/с у текущих моделей).
-
Цель: >1.5 ТБ/с пропускной способности на чип с лучшей в отрасли энергоэффективностью.
-
Ориентировочный срок: 2027-2028 годы для видеокарт RTX 60-серии.
-
-
HBM4E (2027 год):
-
Базовые кристаллы памяти будут производиться TSMC (отход от собственного производства).
-
Фокус на дальнейшее увеличение плотности и снижение стоимости.
-
Значение для рынка:
-
Конкуренция с SK hynix: Micron догоняет лидера в сегменте HBM для ИИ, предлагая уникальные технические характеристики.
-
Поддержка NVIDIA: Партнёрство с NVIDIA гарантирует спрос на HBM4 для ускорителей Rubin и Blackwell Ultra.
-
Гонка пропускной способности: Рост требований к памяти подтверждает, что ИИ-нагрузки будут определять развитие полупроводниковой отрасли до конца десятилетия.
Поставки HBM4 в массовые продукты начнутся во второй половине 2026 года. Это укрепит позиции Micron как ключевого игрока на рынке памяти премиум-класса.
Подписывайтесь на наш телеграмм канал и читайте новости в удобном формате — https://t.me/occlub_ru.