Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • OptiScaler демонстрирует FSR Redstone в неподдерживаемых играх
    • JEDEC близка к финализации нового стандарта памяти SPHBM4
    • Новый премиальный монитор ASUS не поддерживает RTX 40XX
    • Обновленные Core Ultra 7 и 9 — засветились в продаже
    • Подведены итоги розыгрыша корпуса ADATA XPG INVADER X MINI и кулеров SAMA A60E
    • Коллаборация мечты Prusa и Noctua выпустили фирменный филамент
    • TSMC рассматривает возможность апгрейда Японского завода
    • Intel снова проиграла дело по давнему антимонопольному спору с AMD.
    Воскресенье, 14 декабря
    OCClub
    Hardware

    SMART Modular показала NVMe-накопитель с память MRAM. Заявлено 1,5 млн. IOPS!

    No1seBRNo1seBR08.08.2017

    Компания SMART Modular представила кое-что очень необычное – накопитель с памятью типа MRAM. MRAM (магниторезистивная оперативная память) хороша тем, что объединяет в себе положительные свойства DRAM (оперативная память) в виде высочайших скоростей работы и низких задержках, но при этом она энергонезависима, как NAND (используется в SSD). Суть в том, что данные из DRAM памяти пропадают, как только пропадает питание, а у NAND не пропадают. В свою очередь у MRAM объединяет лучшие черты обоих типов.

    Представленный накопитель выполнен в формате PCI-Ex HHHL, и фактически использует интерфейс связи PCI-Express x8. У прототипа памяти по современным маркам очень, прямо крайне мало – всего 1 ГБ (заря технологии, чего вы хотели). Зато впечатляют заявленные скорости работы. Накопитель характеризуется показателями IOPS (случайные блоки данных на объёмом 4 КБ) на уровне 1,5 млн. – и для скорости и для записи. Это один из высочайших результатов сейчас.

    Линейные скорости записи чтения впечатляют еще больше. Заявлено до 2666 MT/сек, что соответствует скорости памяти DDR4 2666 (PC4-21300). То есть в теории, линейные скорости записи/чтения достигают 21 ГБ/с. Однако прямо SMART Modular об этом не говорит, все может быть не так просто.

    SMART Modular MRAM NVMe 2

    Как последний момент – надежность. У нынешних SSD есть показатель TWB, то есть количество полных перезаписей до того, как память начнет деградировать. MRAM как и DRAM такого недостатка лишены априори. В графе Endurance (выносливость) значит “неограниченный”.

    Подробнее можно узнать на официальной странице SMART Modular MRAM NVMe.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    OptiScaler демонстрирует FSR Redstone в неподдерживаемых играх

    JEDEC близка к финализации нового стандарта памяти SPHBM4

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Новое обновление Windows 11 вылечило проблемы с видеокартами от AMD

    10.12.2025

    Intel усиливает полупроводниковую программу Индии через новое партнёрство с Tata Group

    09.12.2025

    Новый премиальный монитор ASUS не поддерживает RTX 40XX

    13.12.2025

    Обновленные Core Ultra 7 и 9 — засветились в продаже

    12.12.2025

    Коллаборация мечты Prusa и Noctua выпустили фирменный филамент

    11.12.2025

    Intel снова проиграла дело по давнему антимонопольному спору с AMD.

    11.12.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version