Компания Samsung рапортует о завершении разработки чипов оперативной памяти DDR5 нового поколения. Это первые в отрасли микросхемы памяти, выпускаемые по 12-нм техпроцессу с применением экстремального ультрафиолета (EUV). Вообще по техпроцессу «12-нм класса», то есть это ~12-15 нм, но для простоты восприятия назовём 12 нм. Запуск массового производства будет в начале следующего года, пока Samsung просто хвастается.
Новые микросхемы имеют ёмкость 2 ГБ на чип и скорость работы 7,2 Гбит/с на контакт, по сути это DDR5-7200. Для справки, наибыстрейшие модули DDR5 имеют режим работы DDR5-8000, и это лучшие экземпляры на отборных микросхемах.
Среди прочих преимуществ применения нового техпроцесса Samsung отмечает на 20% большее количество микросхем с одной пластины. Естественно, это не означает, что эти чипы будут недорогими. Во-вторых, на 23% меньшее потребление, чем у актуальных чипов DDR5.
В пресс-релизе отметился директор по вычислительным и графическим продуктам AMD. Пропуская лирику, новые чипы Samsung будут очень тщательно протестированы и оптимизированы для платформы AMD AM5.
Источник:
Samsung
