Производители микросхем памяти не часто делятся планами на будущее, но в последнее время зачастили. Недавно Micron рассказала о планах развития многослойной сверхбыстрой памяти типа HBM, заодно представив HBM3 Gen2, а теперь южнокорейская компания Samsung.
Samsung объявила, что в 2025 году начнёт производство памяти HBM4. Хотя в названии указано «4», в действительности это память уже 6-го поколения. Важным нововведением станет переход на 2048-битный интерфейс подключения. Для справки, память HBM c 2015 использует только и только 1024-битную шину.
Особенностей пока известно очень мало. Вдвое больше шина, применение передовых технологий «непроводящая плёнка» и «гибридное медное соединение» для повышения энергоэффективности и скорости отвода тепла – всё. К слову, Micron для аналогичной памяти обещает ёмкость до 64 ГБ и скорость до 2 ТБ/с.
Чипы Samsung HBM4 найдут применение в ИИ-ускорителях NVIDIA. Скорее всего не следующих, базирующихся на архитектуре Blackwell, а послеследующих, информации о которых пока совсем нет.
