Южнокорейский производитель памяти SK hynix пересматривает свои планы. Компания ускоряет поставки образцов новейшей памяти HBM4E. Изначально образцы планировали отправлять во втором полугодии. Теперь SK hynix стремится начать поставки в июне или июле.
Причина спешки — успех конкурента. Samsung Electronics уже объявила о начале поставок образцов HBM4E в конце мая. SK hynix не хочет отставать.
Технические детали HBM4E:
-
Скорость передачи данных: от 14 до 16 Гбит/с на контакт
-
Ёмкость одного стека: до 48 Гбайт
-
Исполнение: 12-ярусное
SK hynix будет использовать техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Samsung же способна выпускать HBM4E самостоятельно, используя 4-нм техпроцесс для базовых кристаллов .
HBM4E будет использоваться в ускорителях NVIDIA семейства Rubin Ultra, которые выйдут на рынок в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E
