Аналитическая компания TrendForce сообщила о рекордном росте цен на мобильную DRAM-память. Средняя цена LPDDR4X выросла на 70–75% по сравнению с предыдущим кварталом, а LPDDR5X подорожала на 78–83%.
Причины подорожания:
-
Бум технологий искусственного интеллекта, требующих всё больше памяти
-
Крупнейшие производители (Samsung, SK Hynix) переориентируют производство на HBM-память для AI-ускорителей
-
Смартфоны с 16 ГБ ОЗУ становятся роскошью
Но есть и хорошие новости!
Учёные из Токийского университета и научно-исследовательского института RIKEN разработали принципиально новый тип памяти на основе антиферромагнетика тримарганец-олово (Mn₃Sn). Новая память:
-
Работает в 250 раз быстрее современной DRAM
-
Почти не нагревается
-
Не изнашивается со временем
-
Переключает магнитное состояние за 40 пикосекунд (у DRAM — 10 наносекунд)
Пока это лабораторная разработка, но она может стать основой для памяти будущего, которая решит проблемы энергопотребления и нагрева. Технология основана на квантово-механических явлениях — переносе спин-орбитального момента электрона вместо обычного потока электронов.
