Южнокорейский производитель памяти SK hynix подтвердил свои планы по развитию DRAM и NAND на ближайшие годы. Дорожная карта включает переход на PCIe 6.0/7.0 и появление новых стандартов памяти во второй половине десятилетия.
SK hynix сосредоточится на массовом внедрении памяти HBM4 и HBM4E для AI-ускорителей, а также на выпуске SSD с поддержкой PCIe 6.0. В потребительском секторе появится память LPDDR6 для ноутбуков и модули DDR5 CUDIMM для ПК .
Производитель ожидает переход на DDR6 и появление GDDR7-Next для видеокарт следующего поколения. В сегменте накопителей намечен выпуск SSD с интерфейсом PCIe 7.0 (скорость до 32 ГБ/с). Кроме того, компания планирует представить HBM5 и HBM5E с передачей большей части логики в базовый слой кристалла, что снизит энергопотребление .
Для AI-систем SK hynix готовит решение AI-N P «Storage Next» на базе High-Bandwidth Flash, что должно обеспечить сверхвысокую пропускную способность для работы с большими данными
