Накануне небезызвестная компания Samsung, по праву называющая себя мировым лидером в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первых в отрасли 12-гигабитных (1,5 ГБ) чипов памяти LPDDR5 на базе 10 нм техпроцесса. Примечательно, что всего 5 месяцев назад Samsung рапортовала о старте производства чипов аналогичной ёмкости стандарта LPDDR4X.
Технически LPDDR5 порядочно превосходит предшественницу по всем параметрам. Во-первых, на 30% возросла пропускная способность – с 4266 Мбит/с до 5500 Мбит/с на чип. Итого суммарная пропускная способность одной полноценной микросхем составит порядка 44 ГБ/с. Во-вторых, напряжение питания было снижено до 1,05 В, что меньше на 30%.
Новые чипы найдут применение преимущественно в смартфонах, которые могут оснащаться 6 ГБ или 12 ГБ оперативной памяти, а также в прочей мобильной электронике. В пресс-релизе Samsung отмечает, что память LPDDR5 позволит раскрыть потенциал 5G-сетей и функций искусственного интеллекта.
Как сообщается, в следующем году у Samsung в планах 16-гигабитные микросхемы LPDDR5.
Источник:
Techpowerup
