О покорении очередного «этажа слойности» рапортует компания Micron. По средством пресс-релиза сообщается, что Micron начала массовое производство 128-слойных микросхем памяти типа 3D NAND. Первые продукты на её основе появятся в продаже уже в начале следующего года.
128-слойные чипы, как и 96-слойные, составляющие основную часть производства компании, сама Micron относит к четвёртому поколению 3D NAND. Новые микросхемы не призваны полностью вытеснить старые, а скорее будут сосуществовать на рынке.
Ключевой особенностью 128-этажных чипов является уход от технологии транзисторов с плавающим затвором (Floating Gate), которая использовалась в течении многих лет, к технологии вертикально расположенных МОП-транзисторов (Replacement Gate Technology). Это положительно скажется как на дальнейшей масштабируемости, так и на производительности.
128-слойная памяти получается неким переходным рубежом, на котором обкатывают технологии, а крупные новшества будут в пятом поколении NAND.
Также генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) высказался, что снижение цен на их продукцию в ближайшее время не планируется, что неудивительно при учёте последнего прогноза аналитиков по рынку NAND-памяти. А вот к 2021 году – вполне вероятно.
