Память 3DXpoint, разработанная в сотрудничестве Intel и Micron, характеризуется большим ресурсом, скоростями работы и, что самое главное, очень низкими задержками порядка 10 мкс, в то время как у традиционной NAND-памяти это около 75 микросекунд. И хотя 3DXpoint и очень перспективная, но пока очень дорогая. Дорогая не в последнюю очередь ввиду отсутствия конкурента, способного предложить какую-то альтернативу. Однако у Samsung ресурсов достаточно, чтобы составить конкуренцию двум гигантам в одиночку. Samsung готовит «ответку» на 3DXpoint – Z-NAND.
Память типа Z-NAND представляет из себя уже знакомую NAND SLC, где на одну ячейку приходится один бит. SLC и сейчас используется в SSD-накопителях, но не слишком широко ввиду низкой плотности на одну микросхему, и высокая стоимость как следствие. Z-NAND естественно получит и ряд улучшений, таких как новый контроллер и повышенные скорости работы.
Теперь о цифрах. Z-NAND по надежности сравнима с 3DXpoint, а также характеризуется низкими задержками около 12-20 мкс. Скорости работы памяти на уровне 3200 МБ/с и для чтения, и для записи, а показатели IOPS 750 тыс./170 тыс. для чтения/записи. Выходит, Z-NAND быстрее чем 3DXpoint при линейных операциях (3200 МБ/с против 2200 МБ/с), но хуже при работе с случайными 4 КБ блоками.
Сразу же Samsung представила и прототип SSD-накопителя на новой памяти – SZ985 (800 ГБ). Пока нет данных ни о стоимости, ни о сроках начала продаж.
