Сегодня компания Rambus, в прошлом занимающаяся производством памяти, а ныне выступающая как лицензиар технологий и вообще больше как финансовая организация, внезапно на одном из мероприятий для инвесторов заговорила о грядущих стандартах памяти типа DDR5 и HBM3.
Сразу поговорим о сроках появления. Ранее ожидалось, что DDR5 появится где-то в 2018 году, и даже в дорожной карте Samsung значился тот самый 2018. Однако, по новым сведениями микросхемы памяти DDR5 и HBM3 будут базироваться на 7 нм техпроцессе, а в 2018 будут освоены только 10 нм. Соответственно, освоение 7 нм и как следствие появление новых типов памяти в массовой электронике ранее 2020 года ждать не стоит.
Память DDR5 придет на смену нынешней DDR4, и сможет предложить, как обычно, существенно возросшие скорости работы и меньшее энергопотребление. В частности, частота работы чипов DDR5 составит 4800-6400 МГц, а напряжение питания 1,1 В. Для сравнения, самые быстрое комплекты памяти DDR4 сейчас работают на частоте 4666 МГц, да и те при существенно завышенном напряжении (1,5 В против стоковых 1,2 В).
Теперь посмотрим на многослойную память HBM3. Пропускная способность сравнительно с HBM2 будет удвоена. Микросхемы HBM2 характеризуются пропускной способностью в 2 Гбит/с, а у HBM3 будет 4 Гбит/с. При типичной 1024-битной (типичной как для многослойной памяти) шине данных общая пропускная способность памяти может превысить 1 ТБ/с.
В завершение сообщается, что над разработкой DDR5 сейчас работают Samsung, SK Hynix и Micron, а у Rambus даже есть полностью рабочие прототипы.
Источники:
WCCFtech
ComputerBase
