Кажется, NAND-память еще очень и очень рано списывать со счетов, хотя Intel вместе с Micron и заявляют, что настал час 3D XPoint. Накануне Samsung показала первый SSD-накопитель на основе памяти Z-NAND, которая должна составить конкуренцию прорывной памяти Intel.
Что это за Z-NAND пока Samsung особо не разглашает. Однако есть предположение, что это уже знакомая 3D-NAND память, но только работающая в режиме SLC (Single Level Cells, или одноуровневая структура ячеек). SLC память намного быстрее и надежнее MLC и TLC. И вроде бы и вот оно счастье, но только это очень дорого.
Дебютный накопитель называется Z-SSD MZ-PJB8000, выполнен он в виде PCI-Express 3.0 x4 платы, и уже даже известны его примерные характеристики: чтение/запись до 3,2 ГБ/с, и показатели IOPS 750/160 тыс. На запись IOPS конечно не космос, но там очень много и не нужно, зато вот последовательные чтения/запись впечатляют. Памяти 800 ГБ, а в будущем ожидаются модели на 1, 2 и 4 ТБ.
Но не в одной памяти дело. Также накопитель получил некий новый контроллер, который обеспечивает на 70% более низкие задержки. Про него, увы, тоже больше ничего неизвестно.
Источник:
AnandTech
