Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • AMD и NVIDIA готовятся к повышению цен на видеокарты из-за рекордного роста стоимости памяти GDDR
    • Intel Core Ultra X7 358H уступает предыдущему поколению в первых тестах PassMark
    • MSI представила бюджетную материнскую плату PRO B840M-P EVO PZ с обратным расположением разъёмов
    • AMD анонсировала серверные процессоры EPYC Venice с рекордным приростом производительности
    • ADATA и MSI анонсировали первый 4-ранговый модуль CUDIMM DDR5-5600 объемом 128 ГБ
    • KIOXIA представила бюджетную серию SSD EXCERIA BASIC с интерфейсом PCIe 4.0
    • IBM представила квантовый процессор «Гагара» — ключевой шаг к созданию отказоустойчивого квантового компьютера к 2029 году
    • Microsoft выпустила первое обновление безопасности для Windows 10 после окончания поддержки
    Воскресенье, 16 ноября
    OCClub
    Hardware

    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2

    No1seBRNo1seBR11.01.2018

    Накануне компания Samsung, являющаяся лидером в сегменте различных микросхем памяти, объявила посредством пресс-релиза о старте массового производства микросхем памяти HBM2 второго поколения с ёмкость 8 ГБ на «микруху». Новые чипы даже получили отдельное имя – Aquabolt. Вкратце говоря, пропускная способность увеличилась на 50%.

    Напомню, память HBM2 первого поколения, которая применяется в некоторых видеокартах сейчас, характеризуется пропускной способностью на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В, или же 2 Гбит/с при 1,35 В. В свою очередь HBM2 Gen 2 способны передавать на контакт 2,4 Гбит/с данных при напряжении 1,2 В. В общей же сложности одна 8 ГБ микросхема характеризуется общей пропускной способностью на уровне 307 Гбит/с.

    Прироста удалось добиться благодаря усовершенствованию технологии вертикальных соединений TSV (through-silicon-via), увеличению контактных элементов между слоями, а также была увеличена толщина подложки, что на скорости работы не сказывается, но зато чип будет надежнее.

    Микросхемы памяти Samsung HBM2 Gen 2 будут применяться во многих местах, где к производительности памяти выставляются очень высокие требования. Самый простой пример, где их можно будет найти – в каких-нибудь топовых видеокартах последующих поколений.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    AMD и NVIDIA готовятся к повышению цен на видеокарты из-за рекордного роста стоимости памяти GDDR

    Intel Core Ultra X7 358H уступает предыдущему поколению в первых тестах PassMark

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Intel разработала революционное решение для охлаждения многочиповых процессоров

    11.11.2025

    Formula V Line представляет серию блоков питания FV: высокоэффективные решения для современных ПК — от 80 PLUS White до Platinum

    12.11.2025

    AMD и NVIDIA готовятся к повышению цен на видеокарты из-за рекордного роста стоимости памяти GDDR

    15.11.2025

    Intel Core Ultra X7 358H уступает предыдущему поколению в первых тестах PassMark

    15.11.2025

    MSI представила бюджетную материнскую плату PRO B840M-P EVO PZ с обратным расположением разъёмов

    15.11.2025

    AMD анонсировала серверные процессоры EPYC Venice с рекордным приростом производительности

    14.11.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version