Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Критическая уязвимость материнских плат позволяет обходить античит — Riot блокирует Valorant без обновления BIOS
    • Intel сертифицировала 256-ГБ модуль DDR5 — экономия до 18% энергии для Xeon может сберечь миллионы долларов
    • Тайвань рассматривает запрет на экспорт новейших техпроцессов TSMC в США
    • Следы «Big Battlemage» от Intel становятся всё заметнее — чип BMG-G31 получил очередное официальное подтверждение
    • Micron предупреждает о затяжном дефиците DRAM после закрытия бренда Crucial
    • «Steam Machine за $100» использует урезанный APU от PS5 и Bazzite
    • Intel приближает 2D-транзисторы к массовому производству
    • Покупатель заказал DDR5, а получил DDR2 и железку
    Суббота, 20 декабря
    OCClub
    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2
    Hardware

    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2

    No1seBRNo1seBR11.01.2018

    Накануне компания Samsung, являющаяся лидером в сегменте различных микросхем памяти, объявила посредством пресс-релиза о старте массового производства микросхем памяти HBM2 второго поколения с ёмкость 8 ГБ на «микруху». Новые чипы даже получили отдельное имя – Aquabolt. Вкратце говоря, пропускная способность увеличилась на 50%.

    Напомню, память HBM2 первого поколения, которая применяется в некоторых видеокартах сейчас, характеризуется пропускной способностью на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В, или же 2 Гбит/с при 1,35 В. В свою очередь HBM2 Gen 2 способны передавать на контакт 2,4 Гбит/с данных при напряжении 1,2 В. В общей же сложности одна 8 ГБ микросхема характеризуется общей пропускной способностью на уровне 307 Гбит/с.

    Прироста удалось добиться благодаря усовершенствованию технологии вертикальных соединений TSV (through-silicon-via), увеличению контактных элементов между слоями, а также была увеличена толщина подложки, что на скорости работы не сказывается, но зато чип будет надежнее.

    Микросхемы памяти Samsung HBM2 Gen 2 будут применяться во многих местах, где к производительности памяти выставляются очень высокие требования. Самый простой пример, где их можно будет найти – в каких-нибудь топовых видеокартах последующих поколений.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Критическая уязвимость материнских плат позволяет обходить античит — Riot блокирует Valorant без обновления BIOS

    Intel сертифицировала 256-ГБ модуль DDR5 — экономия до 18% энергии для Xeon может сберечь миллионы долларов

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    OptiScaler демонстрирует FSR Redstone в неподдерживаемых играх

    13.12.2025

    Следы «Big Battlemage» от Intel становятся всё заметнее — чип BMG-G31 получил очередное официальное подтверждение

    18.12.2025

    Intel приближает 2D-транзисторы к массовому производству

    17.12.2025

    Kingston: откладывать апгрейд памяти больше нельзя

    16.12.2025

    Asus и Gigabyte выпустили обновлённые версии своих видеокарт GeForce RTX 5060 Ti

    15.12.2025

    Commander Keen: начало истории id Software

    14.12.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version