Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Nexperia China ищет новых поставщиков пластин на фоне конфликта с Нидерландами
    • 2 ТБ DDR5 серверной памяти за $39 000 и 4 ТБ за $77 000 — Nemix устанавливает новый ценовой рекорд на фоне дефицита DRAM
    • Китайский производитель Zephyr подтвердил гибель чипов RDNA 2 из-за трещин и коротких замыканий
    • Моддеры увеличивают объём памяти RTX 5080 до 32 ГБ, но геймерам это не на руку
    • Разъем питания GeForce RTX 5090 загорелся даже с оригинальным проводом
    • Asus не собирается выпускать оперативную память
    • Старые процессоры Ryzen AM4 возглавили чарты Amazon из-за дорогой DDR5
    • Российские энтузиасты предлагают собирать DDR5-память своими руками
    Воскресенье, 28 декабря
    OCClub
    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2
    Hardware

    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2

    No1seBRNo1seBR11.01.2018

    Накануне компания Samsung, являющаяся лидером в сегменте различных микросхем памяти, объявила посредством пресс-релиза о старте массового производства микросхем памяти HBM2 второго поколения с ёмкость 8 ГБ на «микруху». Новые чипы даже получили отдельное имя – Aquabolt. Вкратце говоря, пропускная способность увеличилась на 50%.

    Напомню, память HBM2 первого поколения, которая применяется в некоторых видеокартах сейчас, характеризуется пропускной способностью на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В, или же 2 Гбит/с при 1,35 В. В свою очередь HBM2 Gen 2 способны передавать на контакт 2,4 Гбит/с данных при напряжении 1,2 В. В общей же сложности одна 8 ГБ микросхема характеризуется общей пропускной способностью на уровне 307 Гбит/с.

    Прироста удалось добиться благодаря усовершенствованию технологии вертикальных соединений TSV (through-silicon-via), увеличению контактных элементов между слоями, а также была увеличена толщина подложки, что на скорости работы не сказывается, но зато чип будет надежнее.

    Микросхемы памяти Samsung HBM2 Gen 2 будут применяться во многих местах, где к производительности памяти выставляются очень высокие требования. Самый простой пример, где их можно будет найти – в каких-нибудь топовых видеокартах последующих поколений.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Nexperia China ищет новых поставщиков пластин на фоне конфликта с Нидерландами

    2 ТБ DDR5 серверной памяти за $39 000 и 4 ТБ за $77 000 — Nemix устанавливает новый ценовой рекорд на фоне дефицита DRAM

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Gigabyte отказывается от термогеля в RTX 5070 Ti Windforce V2

    23.12.2025

    Китайский производитель Zephyr подтвердил гибель чипов RDNA 2 из-за трещин и коротких замыканий

    28.12.2025

    Разъем питания GeForce RTX 5090 загорелся даже с оригинальным проводом

    28.12.2025

    Asus не собирается выпускать оперативную память

    27.12.2025

    Российские энтузиасты предлагают собирать DDR5-память своими руками

    26.12.2025

    Старые видеокарты AMD получили до 30% прироста производительности в Linux

    25.12.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version