Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Ryzen AI Max+ 392 почти догнал Ryzen 7 9800X3D в ранних тестах — новый Strix Halo удивляет многоядерной производительностью
    • Слух: Nvidia сокращает поставки игровых GPU на 15–20%
    • GIGABYTE представляет обновлённый GiMATE и новое поколение ИИ-ноутбуков на CES 2026
    • DLSS 4.5 Super Resolution вышла из беты — обновление доступно всем пользователям Nvidia App
    • Steam Machine получит более мягкие требования к бейджу Verified — Valve обещает совместимость с играми Steam Deck
    • Оружие Intel для реванша против AMD может выйти уже весной — Core Ultra 200K Plus и 200HX Plus
    • Плата Milk-V Titan Mini-ITX с процессором UR-DP1000 показывает, как формируется экосистема RISC-V
    • Microsoft меняет подход к строительству ИИ-дата-центров — компания обещает «быть хорошим соседом» для местных сообществ
    Суббота, 17 января
    OCClub
    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2
    Hardware

    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2

    No1seBRNo1seBR11.01.2018

    Накануне компания Samsung, являющаяся лидером в сегменте различных микросхем памяти, объявила посредством пресс-релиза о старте массового производства микросхем памяти HBM2 второго поколения с ёмкость 8 ГБ на «микруху». Новые чипы даже получили отдельное имя – Aquabolt. Вкратце говоря, пропускная способность увеличилась на 50%.

    Напомню, память HBM2 первого поколения, которая применяется в некоторых видеокартах сейчас, характеризуется пропускной способностью на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В, или же 2 Гбит/с при 1,35 В. В свою очередь HBM2 Gen 2 способны передавать на контакт 2,4 Гбит/с данных при напряжении 1,2 В. В общей же сложности одна 8 ГБ микросхема характеризуется общей пропускной способностью на уровне 307 Гбит/с.

    Прироста удалось добиться благодаря усовершенствованию технологии вертикальных соединений TSV (through-silicon-via), увеличению контактных элементов между слоями, а также была увеличена толщина подложки, что на скорости работы не сказывается, но зато чип будет надежнее.

    Микросхемы памяти Samsung HBM2 Gen 2 будут применяться во многих местах, где к производительности памяти выставляются очень высокие требования. Самый простой пример, где их можно будет найти – в каких-нибудь топовых видеокартах последующих поколений.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Ryzen AI Max+ 392 почти догнал Ryzen 7 9800X3D в ранних тестах — новый Strix Halo удивляет многоядерной производительностью

    Слух: Nvidia сокращает поставки игровых GPU на 15–20%

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    GIGABYTE представляет обновлённый GiMATE и новое поколение ИИ-ноутбуков на CES 2026

    15.01.2026

    DLSS 4.5 Super Resolution вышла из беты — обновление доступно всем пользователям Nvidia App

    15.01.2026

    Плата Milk-V Titan Mini-ITX с процессором UR-DP1000 показывает, как формируется экосистема RISC-V

    14.01.2026

    Дженсен Хуанг: «божественный ИИ — миф»

    13.01.2026

    Micron отвечает на критику из-за закрытия Crucial — компания предупреждает, что дефицит DRAM может затянуться как минимум до 2028 года

    13.01.2026

    AMD не исключает экспериментальную поддержку FSR Redstone на RDNA 3 — но официально технология остаётся эксклюзивом RDNA 4

    12.01.2026
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version