Про память Z-NAND, которую Samsung разрабатывает для конкуренции с Intel 3D Xpoint, различная информация в Сети ходит уже давно. Интересный момент: все это время мы видели не просто цифры и фото чипов памяти, я прототипы уже непосредственно накопителей. В марте они засветились первый раз, а потом еще в ноябре. Ну а вот сегодня Samsung официально выпустила накопители SZ985 на базе памяти Z-NAND.
Первоначально Samsung начнет поставлять модели объёмом 800 ГБ, а чуть после появится 240 ГБ версия. Накопители SZ985 могут похвастаться скоростями линейных чтения и записи на уровне 3200 МБ/с, а показатели IOPS на уровне 750/170 тыс. операций – для чтения/записи соответственно.
Для сравнения, у накопителей Intel SSD Optane DC P4800X, использующих память 3D Xpoint, заявлены скорости последовательных чтения/записи около 2400/2000 МБ/с, а показатели IOPS 550 тыс./500 тыс.
Кроме того, Samsung SZ985 очень и очень надежны. 800 ГБ версия может быть полностью перезаписана 52 тысячи раз, что около 42 петабайт данных.
Увы, Samsung стоимость пока не объявила. Детальнее про новинки компания расскажет в ходе конференции ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), которая пройдет 11-15 февраля.
