Исследователи говорят, что к 2021 году количество текстовых линий (слоёв) в чипе 3D NAND-памяти достигнет 140 или даже более, но до тех пор индустрии предстоит пройти все промежуточные этапы. Ну а пока микросхемы насчитывают 72 слоя максимум, из доступных широким массам естественно. Тем временем компания Western Digital объявила, что начала поставки для некоторых своих избранных клиентов уже четвертого поколения памяти BiSC4 3D NAND, у которых 96 слоёв.
Пока столь «слоёные» чипы будут использоваться для “устройств хранения, продаваемых в разницу”, проще говоря для флэш-накопителей и карт памяти. Также данные микросхемы можно будет сконфигурировать как TLC или даже QLC-память, однако для этого придётся подождать «зрелости» технологии производства.
Точных технических характеристик нет, но в прошлом году Western Digital говорила, что первые их 96-слойные чипы будут типа TLC и будут иметь ёмкость 256 ГБ на микросхему. Позже, когда появится QLC-вариация, ёмкость вырастет до 1 ТБ.
Источник:
Anandtech