Hardware

Samsung первой в индустрии представила модули DDR5 512 ГБ

Samsung первой в индустрии представила модули DDR5 512 ГБ

Многие производители микросхем и модулей оперативной памяти сообщали о прогрессах в разработке DDR5, однако от лидера индустрии, компании Samsung, всё это время ничего не было слышно. Теперь Samsung первой в индустрии анонсировала модули ОЗУ DDR5 ёмкостью 512 ГБ. Это серверное решение типа RDIMM, которое в будущем будет использоваться в серверах на базе процессоров Intel Xeon Scalable (Sapphire Rapids) и AMD EPYC Genoa (Zen 4).

512-гигабайтные планки набраны чипами, построенными по технологии HKMG (High-K Metal Gate). Технология не нова, Samsung использует её с видеопамяти GDDR6 с 2018 года. По утверждениям производителя, HKMG на 13% снижает энергопотребление и снижает токи утечки.

Samsung первой в индустрии представила модули DDR5 512 ГБ

Каждый чип Samsung DDR5 RDIMM насчитывает 8х 16-гигабитных слоёв, связанных межкремниевыми мостами Through-Silicon-Via (TSV). О характеристиках южнокорейский чипмейкер почти ничего не рассказал. Сообщается лишь, что тестируются разные варианты с частотами работы вплоть до 7200 МГц.

На данный момент партнёры Samsung получают образцы памяти для ознакомления и тестирования. Дополнительные подробности ожидаются во второй половине года. Тогда Intel и AMD начнут рассказывать про свои новые серверные платформы, а с тем и производители памяти начнут представлять новинки.



Leave a Comment

Your email address will not be published.