На фоне неразберихи с точностью определения слова «техпроцесс» чипмейкеры имеют лазейку, позволяющую сделать техпроцесс тоньше без особых усилий. Собственно, вообще без усилий: берём техпроцесс, меняем название – и всё, технологического отставания как и не было. Подобным грешат Samsung, SK Hynix, а теперь и Intel присоединилась. Ну как «присоединилась», здесь ещё можно поспорить на тему первопроходца, но это совсем другая история. В ходе мероприятия Intel Accelerated компания рассказала о намерениях ввести новую схему наименований собственных техпроцессов, а также рассказала о планах на будущее.
Во-первых, нынешние техпроцессы 10 нм Enhanced SuperFin и 7 нм переименовываются. Первый теперь называется Intel 7. По заявлениям чипмейкера, Intel 7 – это не прямая перемаркировка 10 нм Enhanced SuperFin, поскольку компании удалось добиться показателя производительность на ватт на 10-15% выше. Справедливости ради, здесь стоит отметить, что Intel-овские 10 нм по показателю плотности транзисторов в целом эквивалентны 7 нм TSMC и Samsung, так что Intel пыль в глаза не пускает.
Нынешний 7 нм техпроцесс компания переименовывает в Intel 4. Здесь якобы тоже не «бумажные нанометры». Чипмейкер обещает увеличение производительность/ватт на 20% сравнительно с нынешним 7 нм. Этот техпроцесс массово использует EUV-литографию, а первыми продуктами на его основе станут процессоры Meteor Lake (Core 14th Gen) и Granite Rapids.
До второй половины 2023 года компания будет использовать эти две технологии, после чего придёт Intel 3. Переход на эти технологические нормы ещё на 18% улучшит показатель производительность на ватт, увеличит плотность транзисторов и слоёв UEV.
В ещё более долгосрочных планах Intel 20A. Грубо говоря, это 2 нм, но Intel ведёт отчёт в ангстремах (0,1 нм, или 100 пм). Данная технология сочетается с новой архитектурой транзисторов RibbonFET и межкремниевыми соединениями PowerVia. Какой это принесёт «профит», какая продукция будет его использовать? — про это Intel не рассказала.
Источник:
Videocardz
