Актуальные микросхемы видеопамяти GDDR6 как максимум характеризуются быстродействием на уровне 18 Гбит/с на контакт. В рамках подготовки к релизу видеокарт нового поколения компания Samsung рапортует о старте пробных поставок чипов GDDR6, которые обеспечивают уже 24 Гбит/с. Иными словами, их скорость работы больше на 33%.
Для производства данных чипов задействуется техпроцесс «10-нм класса» (т.н. 1z нм) с применением экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии. Ёмкость микросхем изменений не претерпела – 2 ГБ.
Увеличенная пропускная способность позволит создать видеокарты с 256-битной шиной данных, не уступающие решениям с более широкой 320-битной шиной. К примеру, абстрактная карта с 16 ГБ памяти и 256-битной шиной с новыми чипами получит 768 ГБ/с пропускной способности. Сейчас таким показателем может похвастаться только RTX 3080 10GB, у которой 320-битная шина и скороходные чипы GDDR6X.
Помимо этого, Samsung выпустила энергоэффективные чипы стандарта GDDR6. Они характеризуются быстродействием на уровне 16 и 20 Гбит/с на контакт, а также сниженным с 1,35 В до 1,1 В напряжением работы.
В пресс-релизе компании прямо сказано, что новые микросхемы памяти будут использоваться в видеокартах следующего поколения.
