Анонсированная 7 месяцев назад видеопамять Samsung GDDR7 готовится к началу производства. Сегодня южнокорейская компания объявила о завершении разработки. Хотя в анонсе речь шла о микросхемах со скоростью работы 36 Гбит/с, или по-простому 36 ГГц, в финальной версии решили ограничиться 32 ГГц.
Главным нововведением можно назвать трёхуровневую амплитудно-импульсную модуляцию PAM3, что на фоне нынешней PAM2 обеспечивает прирост пропускной способности на 50%. Также говорится о снижении энергопотребления на 20%. К сожалению, данных о ёмкости микросхем по-прежнему нет.
У чипов Samsung GDDR7 есть 2 режима работы: высокопроизводительный, где быстродействие любой ценой, а также энергоэффективный со сниженным рабочим напряжением. Последний скорее всего будет применяться в ноутбуках.
Чипы GDDR7 по контактам несовместимы с GDDR6. У новой памяти 266 контактов против 180 у GDDR6. Со стороны производителей видеокарт это потребует значительной переработки схематики платы.
Абстрактная видеокарта с 256-битной шиной и чипами GDDR7 обеспечит пропускную способность памяти на уровне 1 ТБ/с. Для сравнения, аналогичный показатель у RTX 4090 с 21-ГГц памятью GDDR6X и 384-битной шиной.
К началу производства видеопамяти нового поколения готовится и Micron, но о её скоростных показателях данных пока нет.
