Samsung сделала важный шаг на пути к следующему поколению высокоскоростной памяти: компания объявила о завершении разработки техпроцесса 1c DRAM шестого поколения, который будет использоваться для выпуска чипов HBM4. Технология уже получила внутреннее одобрение и готова к переходу в фазу массового производства.
На этапе тестирования выход годной продукции составил 50–70%, что уже достаточно для старта серийного производства. Хотя показатель можно улучшить, Samsung рассчитывает начать коммерческое применение 1c DRAM уже во второй половине 2025 года, в том числе для создания HBM4-стеков — критически важного компонента для ИИ-ускорителей и HPC-систем.
Однако в гонке за HBM4 SK hynix пока вырывается вперёд. Компания начала поставки инженерных образцов ещё весной, а в июне отправила первую коммерческую партию HBM4-чипов, которые предназначаются для будущих ускорителей NVIDIA Vera Rubin. Таким образом, SK hynix с высокой вероятностью опередит Samsung в начале массовых поставок памяти нового поколения.
Тем не менее, завершение разработки 1c DRAM — важная веха для Samsung. На фоне резко растущего спроса на HBM-решения со стороны NVIDIA, AMD и других производителей ИИ-чипов, даже с небольшой задержкой компания сможет занять значимую долю рынка, особенно при условии конкурентной стоимости и высокой плотности своих стеков.
Подписывайтесь на наш телеграмм канал и читайте новости в удобном формате — https://t.me/occlub_ru.
