Компания Intel наращивает производство процессоров по своей технологии 18A (класс 1,8 нм) с многообещающими результатами. Однако работа над улучшенной версией 18A-P активно ведется, и ее готовность ожидается в ближайшие кварталы.
Прирост производительности и экономия энергии
Согласно документу, опубликованному Intel на конференции VLSI 2026, техпроцесс 18A-P предлагает разработчикам чипов два ключевых преимущества по сравнению с базовым 18A:
-
Повышение производительности на 9% при том же энергопотреблении.
-
Снижение энергопотребления на 18% при той же производительности и сложности.
Для достижения этих показателей Intel внедрила новые типы транзисторов с круговым затвором (GAA) — RibbonFET. В частности, появились высокопроизводительные устройства с улучшенными контактами, а также новые низкопотребляющие устройства.
Совместимость и улучшение выхода годных кристаллов
Важно отметить, что 18A-P сохраняет совместимость с базовым процессом. Он использует тот же шаг контактных поликремниевых структур (50 нм) и те же высоты библиотек (180 нм и 160 нм). Это означает, что чип, изначально разработанный для 18A, может быть перенесен на 18A-P. Однако для полной реализации преимуществ потребуется повторная оптимизация дизайна.
Ключевым улучшением является сужение разброса характеристик на 30%. Это снижает вариативность и улучшает выход годных кристаллов. Технология дополнительно включает больше опций порогового напряжения (более 5+ пар против 4 пар в 18A). Это позволяет более точно сортировать чипы и обеспечивает более стабильное поведение, увеличивая долю кристаллов, соответствующих целевым спецификациям.
Улучшенная теплопроводность и надежность
Для передовой технологии, ориентированной как на клиентские, так и на серверные приложения, критические улучшения коснулись тепловых характеристик, надежности и поведения при различных напряжениях.
-
Теплопроводность улучшена на 50%. Более низкое тепловое сопротивление помогает управлять высокой плотностью мощности, характерной для GAA-транзисторов.
-
Улучшена долговременная стабильность устройств под высоковольтным напряжением (Negative-Bias Temperature Instability, NBTI), что критически важно для процессоров дата-центров.
-
Улучшено согласование минимального рабочего напряжения (Vmin) логики и SRAM. Что повышает стабильность работы при низком напряжении.
Подписывайтесь на наш телеграмм канал и читайте новости в удобном формате — https://t.me/occlub_ru.
