Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Samsung хочет сотрудничать с Intel ради поддержки администрации США
    • SK hynix первой в мире начала массовое производство 321-слойной памяти 3D NAND QLC
    • NVIDIA раскрыла подробности о графическом процессоре GB300 Blackwell Ultra
    • Inno3D и AXGaming показали RTX 5070 Ti с полностью скрытым кабелем питания
    • Lian Li выпустила поворотный кронштейн для видеокарт с поддержкой PCIe 5.0
    • NVIDIA показала правительству США урезанный ускоритель B30 для китайского рынка
    • ASRock отменяет выпуск Radeon RX 9070 XT Taichi White с ЖК-дисплеем
    • NVIDIA окончательно сворачивает HGX H20 и делает ставку на B30A
    Вторник, 26 августа
    OCClub
    Hardware

    Samsung приступает к массовому производству 8 ГБ микросхем память HBM2 Gen 2

    No1seBRNo1seBR11.01.2018

    Накануне компания Samsung, являющаяся лидером в сегменте различных микросхем памяти, объявила посредством пресс-релиза о старте массового производства микросхем памяти HBM2 второго поколения с ёмкость 8 ГБ на «микруху». Новые чипы даже получили отдельное имя – Aquabolt. Вкратце говоря, пропускная способность увеличилась на 50%.

    Напомню, память HBM2 первого поколения, которая применяется в некоторых видеокартах сейчас, характеризуется пропускной способностью на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В, или же 2 Гбит/с при 1,35 В. В свою очередь HBM2 Gen 2 способны передавать на контакт 2,4 Гбит/с данных при напряжении 1,2 В. В общей же сложности одна 8 ГБ микросхема характеризуется общей пропускной способностью на уровне 307 Гбит/с.

    Прироста удалось добиться благодаря усовершенствованию технологии вертикальных соединений TSV (through-silicon-via), увеличению контактных элементов между слоями, а также была увеличена толщина подложки, что на скорости работы не сказывается, но зато чип будет надежнее.

    Микросхемы памяти Samsung HBM2 Gen 2 будут применяться во многих местах, где к производительности памяти выставляются очень высокие требования. Самый простой пример, где их можно будет найти – в каких-нибудь топовых видеокартах последующих поколений.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Samsung хочет сотрудничать с Intel ради поддержки администрации США

    SK hynix первой в мире начала массовое производство 321-слойной памяти 3D NAND QLC

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Samsung хочет сотрудничать с Intel ради поддержки администрации США

    25.08.2025

    SK hynix первой в мире начала массовое производство 321-слойной памяти 3D NAND QLC

    25.08.2025

    NVIDIA раскрыла подробности о графическом процессоре GB300 Blackwell Ultra

    25.08.2025

    Inno3D и AXGaming показали RTX 5070 Ti с полностью скрытым кабелем питания

    25.08.2025

    Lian Li выпустила поворотный кронштейн для видеокарт с поддержкой PCIe 5.0

    25.08.2025

    NVIDIA показала правительству США урезанный ускоритель B30 для китайского рынка

    25.08.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version