По части микросхем памяти Samsung впереди планеты всей. Всего неделю назад Samsung объявила, что начала массовое производство второго поколения памяти HBM2, ну а сегодня очередная новость о Samsung, но куда более интересная для большинства: началось производство микросхем GDDR6 по 10 нм техпроцессу.
Чипы памяти Samsung GDDR6 характеризуются плотностью в 16 Гбит на микросхему, то есть ёмкость одной «микрухи» 2 ГБ, что вдвое больше, чем у 20-нм памяти GDDR5, которая сейчас массово применяется в видеокартах. Данные микросхемы способны передавать 18 Гбит/с информации на контакт. Следовательно, у одной такой микросхемы фактическая пропускная способность 72 Гбит/с.Для сравнения, GDDR5 характеризуется пропускной способность в 8 Гбит/с на контакт, в GDDR5X 10-11,5 Гбит/с на контакт.
Более того, если у GDDR5 напряжение работы было 1,55 В, то у GDDR6 это 1,35 В, что привело к уменьшению энергопотребления (и нагрева) на 35%.
Абстрактная видеокарта будущего с памятью GDDR6 и типичной 256-битной шиной данных будет иметь общую пропускную способность памяти на уровне 576 ГБ/с, а в случае с GDDR5 это было бы лишь 320 ГБ/с. Для пущего понимания, у GTX 1080 Ti пропускная способность памяти на уровне 484 ГБ/с.
