Компания Micron готова к началу производства многослойной памяти HBM нового поколения. Она получила название HBM3 Gen2 и характеризуется на 44% большей пропускной способностью, чем актуальные чипы стандарта HBM3. При этом максимальная ёмкость не изменилась, по-прежнему 24 ГБ, но в будущем компания будет использовать 12 слоёв вместо 8, что повысит ёмкость.
Для производства микросхем HBM3 Gen2 задействуется техпроцесс 1β, что примерно около 12 привычных нанометров. Большая пропускная способность обеспечивается увеличенным количеством сквозных соединений типа TSV и уменьшением расстояния между слоями DRAM. Попутно небольшой плюс в виде улучшенного охлаждения чипов.
Быстродействие на контакт – 9,2 ГТ/с (гигатранзакций в секунду) против 6,4 у «обычной» HBM3. Ускоритель с 4 чипами HBM3 Gen2 и 4096-битной шиной обеспечит общую пропускную способность на уровне 4,8 ТБ/с, а в случае 6 чипов – 7,2 ТБ/с. Для сравнения, ускоритель NVIDIA H100 с памятью HBM3 характеризуется 3,35 ТБ/с.
Хорошая новость в том, что карта контактов у новой памяти полностью идентична HBM3, и её внедрение не потребует дополнительных затрат. Как минимум первое время HBM3 Gen2 будет применяться только в составе GPU-ускорителей. Массовое производство Micron начнёт в начале следующего года.
Что касается будущих планов, в 2025 компания выпустит упомянутые 12-слойные чипы ёмкостью до 36 ГБ, в 2026 HBM Next (или по-простому HBM4). Последняя получит ёмкость до 64 ГБ и быстродействие до 2 терабайт в секунду.
Источник:
AnandTech
