Память DDR4 потихоньку становится общепринятым стандартом, а двигатели индустрии, такие как Samsung, уже начинают готовиться к новому поколению. Технологии развиваются семимильными шагами, и Samsung предположила, что новая SDRAM-память выйдет уже в ближайшие пять лет, а прототипы начнут появляться уже к 2018.
На IDF 2015, Samsung обозначила целевые показатели производительности памяти поколения post-DDR4. Их исследования показывают, что память следующего поколения должна быть способна достигать скорости в 6,4 Гб/сек, имея общую пропускную способность 51,2 Гб/сек. Также она, по предположению Samsung, будет изготавливаться по техпроцессу меньше 10нм.
Несмотря на отличные показатели производительности, которые стали доступны владельцам ноутбуков, серверов и ПК с использованием DDR4, у производителей все еще остро стоит проблема увеличения объема памяти – к примеру, в данный момент из-за ограниченного канала стало сложно создать плату оперативной памяти на 32 Гб. Однако, Samsung готова переработать текущую архитектуру SDRAM в трехмерную среду, аналогичную HBM-памяти, которая используется в некоторых видеокартах AMD, например в Radeon R9 Fury X.
Что интересно, уже текущее поколение оперативной памяти можно разогнать до очень впечатляющих скоростей. Так, господа из G.Skill разогнали плату DDR4 до рекордной скорости 4795,8 МГц на системе с процессором Intel Skylake. О том, какие скорости станут доступны с появлением нового типа SDRAM, пока сказать сложно – за исключением того, что это явно будет нечто впечатляюще, особенно, если трехмерный процесс и правда станет новым стандартом производства памяти.