Согласно информации Nikkei Asia, Intel, SoftBank и Токийский университет объединились для создания нового стартапа под названием Saimemory, который займется разработкой нового типа многослойной DRAM-памяти. Первые прототипы ожидаются к 2027 году, а массовое внедрение намечено на 2030 год.
Альтернатива HBM?
Хотя точные технические характеристики нового решения пока неизвестны, источники утверждают, что разработка станет альтернативой существующему стандарту High Bandwidth Memory (HBM). Напомним, что HBM использует вертикально уложенные DRAM-чипы, соединённые с помощью сквозных кремниевых каналов (TSV) и подключенные к вычислительным чипам через интерпозер. Такой подход обеспечивает высокую пропускную способность и энергоэффективность.
Saimemory, возможно, создается в ответ на монополию в производстве HBM: в настоящее время его выпускают всего три компании — SK Hynix, Micron и Samsung. Например, NVIDIA закупает HBM3E только у Micron и SK Hynix, тогда как Samsung сталкивается с трудностями сертификации своих чипов, что уже привело к дефициту на рынке.
Упор на энергоэффективность
По данным источников, новая разработка сосредоточится на повышении энергоэффективности. Это направление соответствует и грядущему стандарту HBM4, который обещает удвоенную пропускную способность (до 2048 бит на стек, до 1,6 ТБ/с) и больший объем памяти — до 64 ГБ на стек. Также ожидаются архитектурные улучшения, включая разделение управляющих и информационных каналов и более эффективное управление обновлением ячеек, что должно снизить задержки и энергопотребление.
Практически все ведущие производители памяти уже работают над следующим поколением многослойной DRAM, в том числе Samsung. Основной целью остаётся увеличение плотности хранения, что позволит создавать чипы с большей общей емкостью.
Будущее Saimemory
Пока неизвестно, какие именно технологии выберет Saimemory, но участие таких гигантов, как Intel и SoftBank, может серьезно изменить ландшафт DRAM-рынка. Новая память потенциально сможет обойти HBM по энергоэффективности и масштабируемости, что критически важно в условиях растущих требований ИИ и дата-центров.
Подписывайтесь на наш телеграмм канал и читайте новости в удобном формате — https://t.me/occlub_ru
