Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • В сеть утек инженерный образец профессиональной видеокарты AMD Radeon AI PRO R9700
    • Память Samsung GDDR6 для видеокарт AMD Radeon RX 9000: холоднее и экономнее чем микросхемы SK hynix, но с нюансами
    • Intel подтвердила планы по выпуску Arrow Lake Refresh для конкуренции с AMD Ryzen 9000
    • SAPPHIRE анонсировала эксклюзивную для Китая видеокарту Radeon RX 9060 XT Black Diamond
    • HWiNFO готовится к новым платформам: добавлена поддержка Intel Nova Lake-S и чипсетов AMD 900-й серии
    • AMD тихо выпустила Ryzen 5 9500F: бюджетный 6-ядерник только для Китая
    • Lenovo анонсировала три игровых монитора Legion Pro с OLED-матрицами: 4K 240 Гц и QHD 280 Гц
    • Samsung хочет стать поставщиком HBM4 для ускорителей NVIDIA, для чего жёстко снизит цены
    Понедельник, 8 сентября
    OCClub
    Hardware

    Samsung представила микросхемы 3D V-NAND четвёртого поколения

    No1seBRNo1seBR11.08.2016

    Месяц и один день назад Samsung выпустила 4 ТБ-версию SSD-накопителя 850 Evo. Так много памяти удалось «упаковать» в 2,5-дюймовый корпус благодаря новым микросхемам 3D V-NAND памяти, которые третьего поколения и состоят из 48 слоев. Сегодня же Samsung представила новое, четвёртое поколение 3D V-NAND микросхем.

    Прежде всего, благодаря росту количества слоев увеличилась ёмкость каждой отдельной микросхемы. Теперь она может вмещать до 512 Гбит, что 64 ГБ. Кроме того, подросла и скорость. По заявлениям, скорость последовательного чтения одного отдельно взятого чипа достигает 100 МБ/. Повторюсь, отдельно взятого чипа, а не всего конечного устройства.

    Уплотнение позволит Samsung выпустить 8 ТБ M.2 накопители, SSD в 2,5-дюймовом корпусе и ёмкостью в 32 ТБ. Компания считает, что достижения объёма в 100 ТБ вполне возможно к 2020 году.

    Также Samsung объявила о серии SSD-Z. Пока много технических деталей не раскрывается. Известно лишь, что там будет использоваться особый котроллер и специально «заточенные» чипы памяти на достижения наибольших скоростей. Приблизительно, новый накопитель будет работать со скоростью 2,5 ГБ/с. Короче говоря, компания готовит очередной самый быстрый SSD.

    Samsung 3D V NAND 4gen 02

    Samsung 3D V NAND 4gen 03

    Источник:
    Guru3D

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    В сеть утек инженерный образец профессиональной видеокарты AMD Radeon AI PRO R9700

    Память Samsung GDDR6 для видеокарт AMD Radeon RX 9000: холоднее и экономнее чем микросхемы SK hynix, но с нюансами

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    В сеть утек инженерный образец профессиональной видеокарты AMD Radeon AI PRO R9700

    07.09.2025

    Память Samsung GDDR6 для видеокарт AMD Radeon RX 9000: холоднее и экономнее чем микросхемы SK hynix, но с нюансами

    07.09.2025

    Intel подтвердила планы по выпуску Arrow Lake Refresh для конкуренции с AMD Ryzen 9000

    07.09.2025

    SAPPHIRE анонсировала эксклюзивную для Китая видеокарту Radeon RX 9060 XT Black Diamond

    06.09.2025

    HWiNFO готовится к новым платформам: добавлена поддержка Intel Nova Lake-S и чипсетов AMD 900-й серии

    06.09.2025

    AMD тихо выпустила Ryzen 5 9500F: бюджетный 6-ядерник только для Китая

    06.09.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version