Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Formula Crystal Z9 FLOE:обзор. Стильный кубик.
    • SK hynix завершила разработку HBM4: готовится к массовому производству с рекордной пропускной способностью
    • GIGABYTE анонсировала шесть материнских плат серии X870E AORUS X3D для процессоров AMD с 3D V-Cache
    • v-color анонсировала память Xfinity+ OLED: модули DDR5 с дисплеем и скоростью до 9066 MT/s
    • Manli анонсировала компактную версию GeForce RTX 5060 Ti V2 с улучшенным охлаждением
    • Intel ускорила графику Panther Lake на 18% в Linux-драйверах, но стабильность под вопросом
    • SAPPHIRE выходит на глобальный рынок: шесть материнских плат для AM5 стали доступны worldwide
    • Xiaomi представила игровой монитор Redmi G27Q 2026: QHD, 200 Гц и рекордно низкая цена
    Среда, 17 сентября
    OCClub
    Hardware

    Samsung представила микросхемы 3D V-NAND четвёртого поколения

    No1seBRNo1seBR11.08.2016

    Месяц и один день назад Samsung выпустила 4 ТБ-версию SSD-накопителя 850 Evo. Так много памяти удалось «упаковать» в 2,5-дюймовый корпус благодаря новым микросхемам 3D V-NAND памяти, которые третьего поколения и состоят из 48 слоев. Сегодня же Samsung представила новое, четвёртое поколение 3D V-NAND микросхем.

    Прежде всего, благодаря росту количества слоев увеличилась ёмкость каждой отдельной микросхемы. Теперь она может вмещать до 512 Гбит, что 64 ГБ. Кроме того, подросла и скорость. По заявлениям, скорость последовательного чтения одного отдельно взятого чипа достигает 100 МБ/. Повторюсь, отдельно взятого чипа, а не всего конечного устройства.

    Уплотнение позволит Samsung выпустить 8 ТБ M.2 накопители, SSD в 2,5-дюймовом корпусе и ёмкостью в 32 ТБ. Компания считает, что достижения объёма в 100 ТБ вполне возможно к 2020 году.

    Также Samsung объявила о серии SSD-Z. Пока много технических деталей не раскрывается. Известно лишь, что там будет использоваться особый котроллер и специально «заточенные» чипы памяти на достижения наибольших скоростей. Приблизительно, новый накопитель будет работать со скоростью 2,5 ГБ/с. Короче говоря, компания готовит очередной самый быстрый SSD.

    Samsung 3D V NAND 4gen 02

    Samsung 3D V NAND 4gen 03

    Источник:
    Guru3D

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Formula Crystal Z9 FLOE:обзор. Стильный кубик.

    SK hynix завершила разработку HBM4: готовится к массовому производству с рекордной пропускной способностью

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Seasonic Arch Q503 – второй корпус с поддержкой системы Seasonic Connect

    30.05.2022

    SK hynix завершила разработку HBM4: готовится к массовому производству с рекордной пропускной способностью

    13.09.2025

    GIGABYTE анонсировала шесть материнских плат серии X870E AORUS X3D для процессоров AMD с 3D V-Cache

    13.09.2025

    v-color анонсировала память Xfinity+ OLED: модули DDR5 с дисплеем и скоростью до 9066 MT/s

    13.09.2025

    Manli анонсировала компактную версию GeForce RTX 5060 Ti V2 с улучшенным охлаждением

    12.09.2025

    Intel ускорила графику Panther Lake на 18% в Linux-драйверах, но стабильность под вопросом

    12.09.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version