Первый анонс накопителей Intel Optane Memory H10 произошёл ещё на выставке CES зимой. Увы, на тот момент Intel не спешила делиться скоростными показателями, но зато заинтриговала весьма необычной компоновкой. И тогда же было обещано, что официально гибридные накопители будут представлены весной. К практически самой середине весны это произошло.
Накопители Intel Optane Memory H10 сочетают в себе как чипы памяти 3D NAND типа QLC, так и сверхбыструю память 3D XPoint, которая выступает в роли кэш-памяти. На плате для каждого из массивов памяти распаян собственный контроллер, к каждому из которых приходят по 2 линии PCI-Express 3.0. QLC-памятью «рулит» Silicon Motion SM2263.
Новинки представлены в объёмах на 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ, набранные QLC-памятью. У самой младшей модели чип 3D XPoint ёмкостью 16 ГБ, а в двух старших по 32 ГБ. Форм-фактор стандартный: M.2 2280.
В плане скоростных характеристик всё выгладят неплохо, но пока дело не касается работы с блоками объёмом 4 КБ. Линейно накопители Intel Optane Memory H10 читают/пишут со скоростью 2400/1800 МБ/с. Показатели IOPS достигают 32/30 тыс. при глубине очереди в 1, и по 55 тыс. IOPS при глубине очереди QD2.
При том гибридные накопители Intel могут похвастаться изрядным ресурсом. Так Intel заявляет, что 1 ТБ модель может выдержать 300 ТБ данных на запись. Для сравнения, террабайтный Intel 660p на «чистой» QLC-памяти может записать 200 ТБ.
Стоит отметить, что поддержка Optane Memory H10 весьма ограничена. SSD могут работать только с материнскими платами с чипсетом 300-ой серии и процессорах как минимум 8-го поколения.
О ценах информации пока нет.
Подробнее на официальной странице Intel Optane Memory H10.
