У Intel/Micron в сегменте высокопроизводительной энергонезависимой памяти есть 3D XPoint. У Samsung есть Z-NAND, которая, по сути, топовая 3D NAND SLC-типа. А у Toshiba на этом попроще нет ничего, что не почётно. Исправить несправедливость призвана новая память Toshiba XL-Flash, производство которой стартует в сентябре, а первые устройства на её основе появятся в начале 2020 года.
Toshiba XL-Flash не является чем-то принципиально новым, как та же 3D XPoint. Это скорее новое поколение уже знакомой 3D NAND, её эволюция. Ключевые преимущества заключаются в очень низких задержках (5 мс против 50 мс), росте количества плоскостей до 16 (против 2 или 4 обычно), что приводит к высокой степени параллелизма. Долговечность с существенный рост скорости обеспечивает одноуровневая структура – это SLC-память.
Говоря иными словами, XL-Flash похожа на Samsung Z-NAND. Это тоже современная память типа SLC (Single Level Cell) с своими «фишками».
Опытные образцы Toshiba XL-Flash имеют ёмкость 128 Гбит (16 ГБ), при том в корпус одной микросхемы можно разместить от двух до восьми таких кристаллов. О скорости работы компания точной информации не раскрыла, но упомянула, что они находятся между NAND- и DRAM-памятью.
