Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Слух: AMD готовит Ryzen 9 9950X3D2 с 192 МБ L3-кэша и двойным 3D V-Cache
    • JEDEC завершил разработку стандарта SOCAMM2 для серверной памяти LPDDR5X
    • TEAMGROUP представила SSD NV10000: скорость до 10 000 МБ/с по доступной цене
    • MSI представила флагманскую Mini-ITX плату MPG X870I EDGE TI EVO WIFI с поддержкой DDR5-10000
    • Microsoft исправила критическую уязвимость в ASP.NET Core, позволявшую перехватывать данные и нарушать работу серверов
    • OpenAI отложила выпуск GPT-6 до 2026 года: компания сосредоточится на улучшении GPT-5
    • 40 лет Intel i386: 275 000 транзисторов, изменившие историю вычислений
    • Видеокарты с 8 ГБ памяти теряют ценность: Radeon RX 9060 XT и RTX 5060 Ti подешевели на 10-12%
    Среда, 22 октября
    OCClub
    Hardware

    Samsung инвестирует $8 млрд. в расширение производства NAND-памяти в Китае

    No1seBRNo1seBR13.12.2019

    Ресурс Reuters со ссылкой на китайские государственные СМИ сообщает, что корпорация Samsung планирует расширение производственных мощностей по выпуску микросхем типа 3D NAND. Дополнительные инвестиции в размере $8 млрд. получит фабрика в городе Сиань в провинции Шэньси.

    Инвестиции могут показаться странными на фоне снижения выручки компании на 50-60% по сравнению с аналогичным периодом годом ранее, и на фоне переизбытка микросхем типа NAND на рынке и как следствие падения их цен, и на фоне усилившийся конкуренции со стороны китайских производителей NAND-чипов, уже начавших массово выпускать 64-слойные микросхемы.

    По-видимому, Samsung что-то знают и готовятся. К примеру, популяризация 5G-сетей практически кратно увеличит объём флэш-памяти у носимой электроники. Некоторые языки говорят, что таким образом чипмейкер планирует получить лояльность правительства Китая.

    3D NAND samsung инвестиции

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Samsung анонсировала HBM4e со скоростью 13 Гбит/с и вдвое меньшим энергопотреблением

    Слух: Samsung может стать поставщиком HBM4 для ускорителей AMD Instinct MI450

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Слух: AMD готовит Ryzen 9 9950X3D2 с 192 МБ L3-кэша и двойным 3D V-Cache

    21.10.2025

    JEDEC завершил разработку стандарта SOCAMM2 для серверной памяти LPDDR5X

    21.10.2025

    TEAMGROUP представила SSD NV10000: скорость до 10 000 МБ/с по доступной цене

    21.10.2025

    MSI представила флагманскую Mini-ITX плату MPG X870I EDGE TI EVO WIFI с поддержкой DDR5-10000

    20.10.2025

    Microsoft исправила критическую уязвимость в ASP.NET Core, позволявшую перехватывать данные и нарушать работу серверов

    20.10.2025

    OpenAI отложила выпуск GPT-6 до 2026 года: компания сосредоточится на улучшении GPT-5

    20.10.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version