Hardware

Samsung начинает массовое производство микросхем памяти GDDR6

Samsung GDDR6

По части микросхем памяти Samsung впереди планеты всей. Всего неделю назад Samsung объявила, что начала массовое производство второго поколения памяти HBM2, ну а сегодня очередная новость о Samsung, но куда более интересная для большинства: началось производство микросхем GDDR6 по 10 нм техпроцессу.

Чипы памяти Samsung GDDR6 характеризуются плотностью в 16 Гбит на микросхему, то есть ёмкость одной «микрухи» 2 ГБ, что вдвое больше, чем у 20-нм памяти GDDR5, которая сейчас массово применяется в видеокартах. Данные микросхемы способны передавать 18 Гбит/с информации на контакт. Следовательно, у одной такой микросхемы фактическая пропускная способность 72 Гбит/с.Для сравнения, GDDR5 характеризуется пропускной способность в 8 Гбит/с на контакт, в GDDR5X 10-11,5 Гбит/с на контакт. 

Более того, если у GDDR5 напряжение работы было 1,55 В, то у GDDR6 это 1,35 В, что привело к уменьшению энергопотребления (и нагрева) на 35%.

Абстрактная видеокарта будущего с памятью GDDR6 и типичной 256-битной шиной данных будет иметь общую пропускную способность памяти на уровне 576 ГБ/с, а в случае с GDDR5 это было бы лишь 320 ГБ/с. Для пущего понимания, у GTX 1080 Ti пропускная способность памяти на уровне 484 ГБ/с.

You may also like