Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Micron официально закрывает своё культовое потребительское направление
    • XPG представила новую серию оперативной памяти ARMAX DDR5, ориентированную на геймеров и любителей компактных SFF-сборок
    • У флагманской Asus ROG Matrix RTX 5090 снова проблемы
    • В Вашингтоне снова развернулась борьба вокруг экспортных ограничений на топовые видеокарты.
    • Видеокарты AMD снова дорожают — бюджетный сегмент под угрозой!
    • Ютубер развеял страшные байки о QD-OLED мониторах
    • Helldivers 2 похудела с 154 ГБ до 23 ГБ
    • Китай ослабляет экспортный ограничения
    Пятница, 5 декабря
    OCClub
    Новости Hardware
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Micron официально закрывает своё культовое потребительское направление

    XPG представила новую серию оперативной памяти ARMAX DDR5, ориентированную на геймеров и любителей компактных SFF-сборок

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Продажи материнских плат на чипсете AMD B850 стремительно растут в Корее

    28.11.2025

    XPG представила новую серию оперативной памяти ARMAX DDR5, ориентированную на геймеров и любителей компактных SFF-сборок

    04.12.2025

    Видеокарты AMD снова дорожают — бюджетный сегмент под угрозой!

    03.12.2025

    Pulsar представила линейку периферии в стиле Брюса Ли к его 85-летию

    01.12.2025

    Как пережить апокалипсис с ростом цен DDR5? 5 советов!

    29.11.2025

    MSI анонсировала фирменную технологию разгона: PBO BCLK Booster обещает до 15% прироста производительности для процессоров AMD

    28.11.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version