Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • FSP выпустили новый серверный блок питания
    • Lian Li HydroShift II OLED Curved 360
    • ASRock WS: СЖО с двойной резервной помпой на 500 Вт TDP
    • GAMDIAS ATLAS P6 CG — новый класс аквариумных корпусов
    • HP представила новую линейку AI-ПК
    • Flipper One: новый открытый Linux-карманный ПК
    • Destiny 2 прекращает получать крупные обновления
    • Третий трейлер GTA 6 может выйти 26 мая
    Понедельник, 25 мая
    OCClub
    Новости Hardware
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    FSP выпустили новый серверный блок питания

    Lian Li HydroShift II OLED Curved 360

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Creative Assembly работает над каким-то тактическим шутером от первого лица

    26.06.2018

    Team Spirit победителиPGL Astana 2026 по CS2

    22.05.2026

    Addlink анонсировала свои новые продукты

    20.05.2026

    Японские учёные нашли альтернативу DRAM

    20.05.2026

    Forza Horizon 6 вышла на всех платформах

    19.05.2026

    ASRock WS: СЖО с двойной резервной помпой на 500 Вт TDP

    25.05.2026
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами.