Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Asus вернула 2006-й: ROG Crosshair с ретро-дизайном
    • Assassin’s Creed Black Flag Resynced: подводный геймплей
    • Microsoft готовит новые контроллеры Xbox
    • Amazon перезапускает «Властелина колец»
    • AJAZZ AK820 PRO: обзор. Экран, крутилка и прекрасный звук!
    • NVIDIA выпустила драйвер для Forza Horizon 6 и Subnautica 2
    • Nintendo запускает акцию с игрой в подарок
    • Razer выпустила доступную версию клавиатуры Huntsman V3
    Суббота, 16 мая
    OCClub
    Новости Hardware
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Asus вернула 2006-й: ROG Crosshair с ретро-дизайном

    Assassin’s Creed Black Flag Resynced: подводный геймплей

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Intel и Nvidia объединяются для создания «супер-чипа»

    13.05.2026

    Assassin’s Creed Black Flag Resynced: подводный геймплей

    15.05.2026

    NVIDIA выпустила драйвер для Forza Horizon 6 и Subnautica 2

    14.05.2026

    Steam Machines на горизонте

    14.05.2026

    Kingdom Hearts 4 могут показать на TGS

    12.05.2026

    Главные инди-релизы недели: Mixtape, хоррор-ферма

    11.05.2026
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами.