Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Be quiet! показала на CES 2026 Light Loop AIO, новые мыши Dark Perk
    • Cooler Master представила Aquagate MAX Retro Mini — компактный CDU с охлаждением до 2 500 Вт
    • AMD: Intel Panther Lake слишком тяжёлая архитектура для портативных игровых ПК
    • Keychron анонсировала Nape Pro — трекбол-мышь с программируемыми кнопками и эргономичным дизайном
    • MSI представила флагман для AM5 — MEG X870E Unify-X Max для экстремального разгона
    • Новое поколение Nvidia RTX-60-серии может появиться только во второй половине 2027 года
    • ASUS представила бескабельные СЖО
    • MSI представляет 5-е поколение QD-OLED-монитора с RGB-Stripe и улучшенной картинкой
    Пятница, 9 января
    OCClub
    Новости Hardware 10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Be quiet! показала на CES 2026 Light Loop AIO, новые мыши Dark Perk

    Cooler Master представила Aquagate MAX Retro Mini — компактный CDU с охлаждением до 2 500 Вт

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Samsung демонстрирует AI-OLED Cassette и Turntable — расширяя границы использования OLED

    05.01.2026

    Ryzen 7 9800X3D разогнали до 7,33 ГГц

    02.01.2026

    Новое поколение Nvidia RTX-60-серии может появиться только во второй половине 2027 года

    08.01.2026

    Глава Nvidia подтвердил: Vera Rubin (NVL72) официально запущена в производство

    07.01.2026

    Игровой монитор HyperX OMEN 34 получил V-Stripe QD-OLED, 360 Hz, KVM и 100 W USB-C

    06.01.2026

    AMD представляет серию Ryzen AI 400: первый настольный Copilot+ CPU и обновлённые Zen 5 APU

    06.01.2026
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version