Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Всемирный дефицит консоли Steam Deck
    • Lenovo предупреждает партнеров о росте цен на компьютеры и серверы из-за дефицита памяти
    • Запуск процессоров AMD Zen 6 и Intel Nova Lake отложен до января 2027 года
    • Процессорные чипы AMD станут залогом кредита на $300 млн
    • Флагманская клавиатура Razer Huntsman Signature Edition за $500
    • Спустя 17 лет Minecraft Java заменит OpenGL на рендерер Vulkan
    • Через 30 лет зелёный холм Bliss из Windows XP снова засиял
    • Щедрый сосед дарит начинающему геймеру мощный ПК с RTX 3090
    Воскресенье, 22 февраля
    OCClub
    Новости Hardware 10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Всемирный дефицит консоли Steam Deck

    Lenovo предупреждает партнеров о росте цен на компьютеры и серверы из-за дефицита памяти

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Процессорные чипы AMD станут залогом кредита на $300 млн

    21.02.2026

    Через 30 лет зелёный холм Bliss из Windows XP снова засиял

    21.02.2026

    Новое поколение процессоров AMD Ryzen 10000 получит семь конфигураций ядер

    20.02.2026

    Thermal Grizzly продаёт делиддированные X3D-процессоры с собственной гарантией — но почти по двойной цене

    20.02.2026

    Dell представила доступный 27-дюймовый игровой монитор с частотой 240 Гц за 10000р

    19.02.2026

    ComputerBase: почти половина игроков выбрала DLSS 4.5 в слепом тесте против FSR 4 и нативного рендеринга

    18.02.2026
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version