Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Deadlock обновила рекорд онлайна после крупного патча
    • Intel Nova Lake всё ближе
    • Montage Technology начала выпуск чипов для DDR5-9200
    • AMD приобрела AI-стартап World Labs за $8,2 млрд
    • Сроки поставок процессоров выросли почти вдвое
    • Вышел ремастер The Witcher 3: Wild Hunt
    • Huawei представила первый ПК с HarmonyOS на Kirin X90
    • Montage Technology начала массовое производство чипов DDR5 RCD05
    Четверг, 1 октября
    OCClub
    Новости Hardware 10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Deadlock обновила рекорд онлайна после крупного патча

    Intel Nova Lake всё ближе

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Цены процессоров AMD Ryzen 7000 продолжают снижаться

    21.12.2022

    Ryzen 7 4700G разогнан до 4,8 ГГц по всем ядрам

    17.07.2020

    AMD: дискретная видеокарта больше не будет работать вместе с встроенной

    15.01.2018

    В битве AMD Ryzen 5 3600XT vs Intel Core i5-10400 победителя не определить

    30.06.2020

    Бюджетный ультрафлагман от Xiaomi: must have за 300 долларов

    15.08.2020

    Процессор Intel Core i9-10910 эксклюзивен для компьютеров Apple

    02.07.2020
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.