Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • SAMA A60E: обзор. Новый игрок, который заслужил внимания.
    • KTC G27P6M: игровой монитор с RGB Tandem OLED за $280
    • Samsung подтвердила планы по массовому производству 2 нм и HBM4 в 2026 году
    • AMD прекращает поддержку Radeon RX 5000/6000 в новых драйверах и отключает USB-C в RX 7900
    • PNY представила SSD CS3250 PCIe 5.0 со скоростью до 14.9 ГБ/с
    • Серверная память DDR5 подорожала на 50%: производители выполняют только 70% заказов
    • Thermaltake подтвердила поддержку сокета LGA1954 для процессоров Intel Nova Lake
    • OneXfly Apex: портативная консоль премиум-класса с гибридным охлаждением за $2250
    Пятница, 31 октября
    OCClub
    Новости Hardware
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    SAMA A60E: обзор. Новый игрок, который заслужил внимания.

    KTC G27P6M: игровой монитор с RGB Tandem OLED за $280

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Драйвер NVIDIA GeForce обновлен (551.61 WHQL)

    23.02.2024

    KTC G27P6M: игровой монитор с RGB Tandem OLED за $280

    30.10.2025

    Samsung подтвердила планы по массовому производству 2 нм и HBM4 в 2026 году

    30.10.2025

    AMD прекращает поддержку Radeon RX 5000/6000 в новых драйверах и отключает USB-C в RX 7900

    30.10.2025

    PNY представила SSD CS3250 PCIe 5.0 со скоростью до 14.9 ГБ/с

    29.10.2025

    Серверная память DDR5 подорожала на 50%: производители выполняют только 70% заказов

    29.10.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version