Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Lenovo показала портативную консоль Legion C700 для облачного гейминга
    • AMD готовит аналог Multi Frame Generation с режимами вплоть до 8x
    • Valve исправит слишком раннее предупреждение о перегреве Steam Machine — порог поднимут до 100°C
    • GMKtec EVO-X1 Pro: компактный монстр с OCuLink для eGPU
    • Новый мировой рекорд от российского оверклокера GKVV
    • ASUS выпустила мини-ПК ROG GR70 с Ryzen 9 и RTX 5070
    • ASRock Taichi 10th Anniversary: «Посмотрели и хватит»
    • GIGABYTE GO27Q24G: 27-дюймовый WOLED-монитор
    Вторник, 14 июля
    OCClub
    Новости Hardware
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Lenovo показала портативную консоль Legion C700 для облачного гейминга

    AMD готовит аналог Multi Frame Generation с режимами вплоть до 8x

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Valve сделала Steam Machine еще более эксклюзивной

    02.07.2026

    GMKtec EVO-X1 Pro: компактный монстр с OCuLink для eGPU

    10.07.2026

    Первый сторонний ПК со SteamOS

    02.07.2026

    Lenovo показала портативную консоль Legion C700 для облачного гейминга

    13.07.2026

    AMD готовит аналог Multi Frame Generation с режимами вплоть до 8x

    13.07.2026

    Valve исправит слишком раннее предупреждение о перегреве Steam Machine — порог поднимут до 100°C

    13.07.2026
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2026 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами.