Close Menu
OCClub
    OCClub
    • Главная
    • Тест `о` дром
      • Процессоры
      • Материнские платы
      • Видеокарты
      • Оперативная память
      • Хранение данных
      • Корпуса
      • Блоки питания
      • Охлаждение
      • Периферия
      • Сетевые устройства
      • Звуковые карты
    • Новости
      • Hardware
      • Software
      • Mobile
      • Games
      • Периферия
      • Пресс-релизы
      • Прочие новости
      • Overclock
    • О Сайте
    Telegram VKontakte
    Самые свежие новости
    • Коллаборация мечты Prusa и Noctua выпустили фирменный филамент
    • TSMC рассматривает возможность апгрейда Японского завода
    • Intel снова проиграла дело по давнему антимонопольному спору с AMD.
    • Новое обновление Windows 11 вылечило проблемы с видеокартами от AMD
    • Corsair встроила многофункциональный сенсорный дисплей в корпус Frame 4000D
    • PC для промо Dawn и Dusk от Nvidia вновь всплыл в сети
    • Оперативная память по цене RTX 5090
    • Intel усиливает полупроводниковую программу Индии через новое партнёрство с Tata Group
    Пятница, 12 декабря
    OCClub
    Новости Hardware
    Hardware

    10 нм техпроцесс Intel увеличивает плотность транзисторов в 2,7 раза по сравнению с 14 нм

    No1seBRNo1seBR29.06.2018

    Как известно, с освоением 10 нм техпроцесса у Intel большие проблемы. Изначально планировалась, что он будет полностью готов ещё к началу этого года, после – к третьему кварталу 2018, но уже сейчас очевидно, что массовые «синие» процессоры на 10 нм мы увидим не раньше начала 2019, и это как минимум. Однако, когда это произойдёт, 10 нм станет существенным шагом вперёд.

    Сейчас Intel на 10 нм выпускает небольшое количество энергоэффективных процессоров U-серии семейства Cannon Lake. В частности, внутри ноутбука Lenovo IdeaPad 330 установлен Core i3-8121U. Ресурс Tech Insights заполучил такой ноутбук, разобрал, и положил кристалл процессора под электронный микроскоп. Выяснились интересные детали.

    Intel 10 nm 2

    Tech Insights заявляет, что переход с 14 нм на 10 нм позволил добиться 2,7-кратного увеличения плотности транзисторов, что позволяет Intel разместить 100,8 млн. транзисторов на площади в один квадратный миллиметр. В итоге кристалл с площадью 127 мм2 располагает 12,8 млрд. транзисторов.

    Кроме того, техпроцесс Intel 10 нм также использует FinFET-компоновку третьего поколения с уменьшенным минимальным шагом затвора с 70 до 54 нм, а толщина металлических межсоединений уменьшена с 52 до 36 нм. Tech Insights отмечают применение кобальта как альтернативу вольфраму и меди в качестве контактного материала между слоями, поскольку при меньших размерах кобальт имеет более низкое сопротивление, чем медь.

    ЧИТАТЬ БОЛЬШЕ НОВОСТЕЙ

    Коллаборация мечты Prusa и Noctua выпустили фирменный филамент

    TSMC рассматривает возможность апгрейда Японского завода

    Leave A Reply Cancel Reply

    Оставайтесь на связи
    • Telegram
    ПОПУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

    Intel усиливает полупроводниковую программу Индии через новое партнёрство с Tata Group

    09.12.2025

    Intel снова проиграла дело по давнему антимонопольному спору с AMD.

    11.12.2025

    Новое обновление Windows 11 вылечило проблемы с видеокартами от AMD

    10.12.2025

    Оперативная память по цене RTX 5090

    09.12.2025

    Скрипт с GitHub обещает за секунды удалить все AI-функции Windows 11

    09.12.2025

    Ryzen 7 9850X3D засветился в Geekbench: частота до 5.6 ГГц, но производительность ставит вопросы

    07.12.2025
    OCClub
    Telegram VKontakte
    • Главная
    • Тест `о` дром
    • Новости
    • О Сайте
    © 2009-2025 OCClub

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version