Компания Rambus, являющаяся одним из немногих производителей микросхем памяти, но не слишком известная широким массам из-за ограниченной сферы применения её продукции, похвасталась впечатляющими характеристиками их микросхем памяти HBM2e. Rambus заявляет скорость передачи данных 4 Гбит/с на контакт, что в итоге для одной многослойной микросхемы HBM2e выливается в 512 ГБ/с на стек.
Для понимания, спецификации JEDEC предполагают на 25% меньшую пропускную способность – 3,2 Гбит/с, однако это не мешает производителям превосходить стандарт. Так в ассортименте SK Hynix есть микросхемы с скоростью 3,6 Гбит/с, и на данный момент среди доступных она быстрейшая. Samsung предлагает чипы также на 3,2 Гбит/с, и обещает 4,2-гигабитные, но пока только обещает.
Немного гипотетических расчетов: абстрактная видеокарта с шестью стеками HBM2e с пропускной способностью 3,2 Гбит/с и 1024-битной шиной данных обеспечивает 2,46 ТБ общей пропускной способности памяти. 4-гигабитные микросхемы повысят этот показатель до 3 ТБ/с. Новенькая GeForce RTX 3090 на чипах памяти GDDR6X характеризуется пропускную способностью 935 ГБ/с. С использованием памяти HBM2e от Rambus удастся добиться большей пропускной способности всего двумя стеками.
Память Rambus HBM2e, к сожалению, вряд ли найдёт применение в видеокартах. Производитель позиционирует их как решения для ASIC, для задач обучения искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
Источник:
Tom’s Hardware
