В 2013 году компания Samsung первой перешла от планарной NAND-памяти к трёхмерной, получившей маркетинговое имя V-NAND. Дебютным продуктом стали 24-слойные чипы, сейчас чипмейкер поставляет накопители с памятью уже 6-го поколения, насчитывающей 136 «этажей», хотя Micron уже начала производить 176-слойные решения. У Samsung этом году также будут 176-слойные чипы V-NAND, причисляемые к 7-му поколению.
Интерфейс подключения памяти может похвастаться скоростью передачи данных в 2000 МТ/с (мегатранзакций в секунду). Высокая пропускная способность позволит использовать 176-слойные чипы с внешним интерфейсом PCI-E 4.0 и будущим PCI-E 5.0. Также к новой памяти готовится новый контроллер, «оптимизированный для многозадачности и огромных рабочих нагрузок». Логично ожидать появление более ёмких накопителей с привлекательным соотношением цена/ГБ.
В настоящее время Samsung готовится к началу массового производства 176-слойных чипов памяти V-NAND. Кроме того, у компании уже есть образцы памяти 8-го поколения с более чем 200 слоями. Учитывая, что обычно компании выводят новые NAND-чипы каждые 12-18 месяцев, где-то к концу 2022 года появятся и 200+ слойные решения.
Наконец, когда-нибудь (не в ближайшем будущем) чипмейкер выпустит память, насчитывающую более 1000 слоёв. Пока лишь сообщается, что это теоретически возможно, но образцов ещё нет, как и подробностей.
Источники:
Tom’s Hardware
Samsung
