В отличии от других чипмейкеров, компания Samsung не слишком активно делится информацией о памяти DDR5 собственного производства. По сути, кроме обещания начать массовое производство в этом году и демонстрации плашек ёмкостью до 512 ГБ, режимы работы которых достигают DDR5-7200, от Samsung ничего и не было слышно. Теперь в рамках конференции Hot Chips 33 южнокорейский чипмейкер чуть подробнее рассказал про 512-гигабайтные модули и планы на будущее.
Samsung планирует начать массовое производство модулей ёмкостью 512 ГБ уже в этом году, и в том числе флагманских с режимом работы DDR5-7200. Что любопытно, работают они при базовом напряжении 1,1 В. Впечатляющий рост ёмкости в первую очередь обусловлен увеличением количества слоёв микросхем памяти. Если у нынешняя DDR4 от Samsung насчитывает до 4 слоёв, соединённых межкремниевыми мостами TSV (Through Silicon Via), в то случае DDR5 их вдвое больше. Несмотря на это высота чипы даже сократилась – 1 мм против 1,2 мм.
512-гигабайтные плашки DDR5 предназначены для серверного рынка и центров обработки данных, где из года в год требования к подсистеме памяти растут. Для «народных» платформ компания готовит модули ёмкостью до 64 ГБ. Об их частотах работы информации нет.
По оценкам чипмейкеров, статус массовой память DDR5 получит лишь к 2023-2024 году, а значит у производителей есть ещё немало времени для доработок.
Источники:
Techpowerup
ComputeeBase
